[實(shí)用新型]一種用于有毒有害氣體分析儀的熱釋電光譜探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220323818.3 | 申請(qǐng)日： | 2012-07-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202649102U | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李永輝;易宏;黃家新 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 昆明斯派特光譜科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | G01N21/27 | 分類號(hào)： | G01N21/27 |
| 代理公司： | 北京理工大學(xué)專利中心 11120 | 代理人： | 郭德忠;高燕燕 |
| 地址： | 651060 云南*** | 國省代碼： | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 有毒 有害 氣體 分析 熱釋電 光譜 探測(cè)器 | ||
1.一種用于有毒有害氣體分析儀的熱釋電光譜探測(cè)器，其特征在于：包括硅單晶（1）、絕熱層（2）、下電極層（3）、光電薄膜（4）、上電極層（5）和芯片保護(hù)層（6），在硅單晶（1）表面由內(nèi)至外設(shè)有絕熱層（2）、下電極層（3）、光電薄膜（4）、上電極層（5）及芯片保護(hù)層（6），所述絕熱層（2）和光電薄膜（4）通過下電極層（3）鍵合在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于有毒有害氣體分析儀的熱釋電光譜探測(cè)器，其特征在于：所述下電極層（3）為鉑/鈦金屬薄膜，其厚度為50nm～100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于有毒有害氣體分析儀的熱釋電光譜探測(cè)器，其特征在于：所述光電薄膜（4）為鋯鈦酸鉛系列或鈦酸鍶鋇系列鐵電薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種用于有毒有害氣體分析儀的熱釋電光譜探測(cè)器，其特征在于：所述光電薄膜（4）的厚度為400nm～1000nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于有毒有害氣體分析儀的熱釋電光譜探測(cè)器，其特征在于：所述上電極層（5）為鉻/鎳金屬薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種用于有毒有害氣體分析儀的熱釋電光譜探測(cè)器，其特征在于：所述上電極層（5）的電阻為300Ω～1000Ω。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于有毒有害氣體分析儀的熱釋電光譜探測(cè)器，其特征在于：所述芯片保護(hù)層（6）為氮化硅薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的一種用于有毒有害氣體分析儀的熱釋電光譜探測(cè)器，其特征在于：所述芯片保護(hù)層（6）的厚度為200nm～500nm。
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段，即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā)，因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng)，測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
