[實用新型]超低相位噪聲恒溫晶體振蕩電路有效
| 申請號: | 201220319332.2 | 申請日: | 2012-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN202713232U | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發明(設計)人: | 梁遠勇;曹海燕;胡雪娟 | 申請(專利權)人: | 上海鴻曄電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03B5/32 | 分類號: | H03B5/32;H03B5/08 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 林煒;朱逸 |
| 地址: | 201108 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相位 噪聲 恒溫 晶體 振蕩 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及晶體振蕩器技術,特別是涉及一種超低相位噪聲恒溫晶體振蕩電路的技術。
背景技術
恒溫槽晶振簡稱恒溫晶振,英文簡稱為OCXO(Oven?Controlled?Crystal?Oscillator),是利用恒溫槽使石英晶體諧振器的溫度保持恒定,將由周圍溫度變化引起的輸出頻率變化量減到最小的晶體振蕩器。恒溫晶振是高端的頻率基礎部件,作為信號源基準,廣泛應用于通信、軍工、儀器設備領域。在雷達和儀器設備方面尤其需要超低相位噪聲恒溫晶體振蕩器,以便雷達識別更小的目標,儀器有更高的精度。
恒溫晶振主要由晶體諧振器、晶體振蕩電路、低噪聲穩壓電路、溫控電路組成。晶體振蕩電路結構決定了產品的相位噪聲性能,放大電路產生自激振蕩需滿足相位和幅度兩個條件:一是放大電路增益必須大于反饋網絡能量損失、二是反饋網絡整體相移為0度或整數倍360度,超低相位噪聲振蕩器的關鍵之一是如何在保證老化的基礎上提高晶體諧振器激勵功率和提高晶體有載Q值(Qualityi?Factor,品質因素)。
現有的晶體振蕩電路主要有考畢振蕩電路(參見圖2)、巴特勒振蕩電路(參見圖3)、皮爾斯振蕩電路(參見圖4)。現有的晶體振蕩電路中,晶體諧振器都作為諧振網絡的一部分,因此ESR值(Equivalent?series?resistance,等效電阻)都較大,不能激勵大功率振蕩,而且晶體諧振器有載Q值低,利用率不高,使得相位噪聲也較高。
實用新型內容?????????????
針對上述現有技術中存在的缺陷,本實用新型所要解決的技術問題是提供一種能激勵大功率振蕩,且相位噪聲低的超低相位噪聲恒溫晶體振蕩電路。
為了解決上述技術問題,本實用新型所提供的一種超低相位噪聲恒溫晶體振蕩電路,包括晶體諧振器、低相噪三極管,其特征在于:還包括一旁路電容、一諧振電感、一輸出電容,及兩個反饋電容;
所述兩個反饋電容分別為第一反饋電容、第二反饋電容;
所述低相噪三極管的基極經第一反饋電容接到地,并依次經一反饋電感、一偏置電阻接到低相噪三極管的集電極;
所述旁路電容與偏置電阻并接;
所述低相噪三極管的集電極經第二反饋電容接到地;
所述晶體諧振器的兩端分別為第一連接端、第二連接端,晶體諧振器的第一連接端接到低相噪三極管的發射級,并依次經一濾波電感、一濾波電阻接到地,晶體諧振器的第二連接端經一壓控電阻接外部輸入的壓控電壓;
所述諧振電感與晶體諧振器并接;
所述輸出電容的一端構成振蕩電路輸出端,另一端經一變容管接到晶體諧振器的第二連接端,并經一變容管工作電阻接到地。
進一步的,所述低相噪三極管的基極依次經一鉗位回路、一激勵功率調節電容接到地。
進一步的,所述低相噪三極管的集電極經另一濾波電感分別接外部輸入的供電電壓,及接一濾波電容到地。
本實用新型提供的超低相位噪聲恒溫晶體振蕩電路,與現有晶體振蕩電路以晶體諧振器作為諧振網絡不同,在主振回路未包括晶體諧振器,而是普通的LC振蕩,由于LC振蕩的反饋網絡Q值(品質因素)及ESR值(等效電阻)小,因此能激勵大功率振蕩,且輸出的頻率信號相位噪聲也較低,晶體諧振器作為LC振蕩輸出的濾波器使用,提高了晶體諧振器有載Q值,并通過諧振電感消除晶體諧振器的晶體靜態電容,LC振蕩輸出的低噪聲頻率信號經晶體諧振器濾波后能達到更低的相位噪聲,可實現超低相位噪聲的頻率信號,可應用于雷達系統提高系統性能。
附圖說明
圖1是本實用新型實施例的超低相位噪聲恒溫晶體振蕩電路的電路圖;
圖2是現有的考畢振蕩電路的電路圖;
圖3是現有的巴特勒振蕩電路的電路圖;
圖4是現有的皮爾斯振蕩電路的電路圖。
具體實施方式
以下結合附圖說明對本實用新型的實施例作進一步詳細描述,但本實施例并不用于限制本實用新型,凡是采用本實用新型的相似結構及其相似變化,均應列入本實用新型的保護范圍。
如圖1所示,本實用新型實施例所提供的一種超低相位噪聲恒溫晶體振蕩電路,包括晶體諧振器Y1、低相噪三極管Q1,其特征在于:還包括一旁路電容C2、一諧振電感L4、一輸出電容C3,及兩個反饋電容C1、C5;
所述兩個反饋電容分別為第一反饋電容C1、第二反饋電容C5;
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