[實(shí)用新型]一種新型的分形圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220317490.4 | 申請日: | 2012-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN202633287U | 公開(公告)日: | 2012-12-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫玲玲;劉軍;趙倩 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01L23/58 | 分類號: | H01L23/58 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 杜軍 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 圖案 接地 屏蔽 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種新型的應(yīng)用分形理論的接地屏蔽結(jié)構(gòu),而此分形屏蔽接地結(jié)構(gòu)主要應(yīng)用于射頻集成電路的單元電路。
背景技術(shù)
隨著CMOS射頻集成電路的快速發(fā)展,高性能/低功耗/集成度的要求越來越高。而單元電路如低噪聲放大器、壓控振蕩器、混頻器、中頻濾波器,功率放大器等是整個(gè)電路成功的基礎(chǔ),在這其中片上電感/變壓器又是必不可少的元件,因此,其設(shè)計(jì)和優(yōu)化已成為整個(gè)電路成功設(shè)計(jì)的關(guān)鍵之一。
評價(jià)電感/變壓器性能的一個(gè)重要指標(biāo)是品質(zhì)因數(shù)Q,它定義為電感在一個(gè)周期內(nèi)存儲的能量和損耗能量的比值,電感的Q值越大,表示該電感的質(zhì)量越好。
在片電感/變壓器一般通過金屬薄膜在硅襯底上繞制而成,因此它們是一個(gè)比較開放性的結(jié)構(gòu),其工作時(shí)候的電場和磁場會滲透到整個(gè)襯底之中,從而在襯底中以及襯底表面的區(qū)域產(chǎn)生反方向的感應(yīng)電流,會反作用于金屬線圈,會相對降低電感線圈的L值,同時(shí)也會導(dǎo)致額外的襯底能量損耗,降低了電感/變壓器Q值。如果能夠有效的減小參透到襯底的電磁場,對于減小損耗,提高電感/變壓器線圈的L值和Q值以及減小變壓器的插入損耗IL,是有很大影響。
發(fā)明內(nèi)容
由上述可知,本實(shí)用新型要解決的問題是,利用線圈和襯底之間的薄的金屬層制造一接地屏蔽層,有效的屏蔽掉滲透到襯底的電磁場,從而減小在襯底中以及襯底表面區(qū)域產(chǎn)生的感應(yīng)電流,達(dá)到降低襯底能量損耗和提高線圈的品質(zhì)因數(shù)的作用。
為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下:
一種新型的分形圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu),應(yīng)用于射頻集成電路,該分形圖案接地屏蔽結(jié)構(gòu)位于線圈繞成的電感或變壓器的中心部分,采用底層的薄金屬層,利用分形理論在基本圖形單元的基礎(chǔ)上,構(gòu)造多階的圖案接地屏蔽層。
所述的基本圖形單元共有兩種:分別是H形和十字形,這兩種形狀都是由相互垂直的和平行的金屬條合并為一體構(gòu)成。
更進(jìn)一步說,可把H形和十字形相結(jié)合,一層為H形屏蔽結(jié)構(gòu),一層為十字形屏蔽結(jié)構(gòu),彼此是絕緣的,下層的屏蔽結(jié)構(gòu)作為接地層,同時(shí)上下層的屏蔽結(jié)構(gòu)是可以錯(cuò)開的
本實(shí)用新型的有益效果:一方面該發(fā)明基于原有的制作工藝,沒有增加任何的工藝步驟,比較容易實(shí)現(xiàn),也不會增加花費(fèi)。另一方面該分形PGS結(jié)構(gòu),能夠有效的屏蔽掉線圈滲透到襯底的電磁場,這樣降低可在襯底和襯底表面區(qū)域產(chǎn)生的感應(yīng)電流,既可以達(dá)到降低襯底能量損耗和提高品質(zhì)因數(shù)的作用,又可以使得工作頻率提高,并可增加慢波因子,使得波走的比較慢,縮小電路布局所需要的面積。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型的一階H形分形接地屏蔽結(jié)構(gòu)平面示意圖。
圖2為本實(shí)用新型的二階H形分形接地屏蔽結(jié)構(gòu)平面示意圖。
圖3為本實(shí)用新型的三階H形分形接地屏蔽結(jié)構(gòu)平面示意圖。
圖4為本實(shí)用新型的一階的十字形分形接地屏蔽結(jié)構(gòu)平面示意圖。
圖5為本實(shí)用新型的二階的十字形分形接地屏蔽結(jié)構(gòu)平面示意圖。
圖6為本實(shí)用新型的三階的十字形分形接地屏蔽結(jié)構(gòu)平面示意圖。
圖7為本實(shí)用新型的H形接地屏蔽結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖。
圖8為本實(shí)用新型的十字形接地屏蔽結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖。
圖9為本實(shí)用新型的十字形和H形相結(jié)合的接地屏蔽結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
圖10為圖1的示意圖應(yīng)用于一個(gè)對稱電感的L值與頻率的關(guān)系圖。
圖11為圖1的示意圖應(yīng)用于一個(gè)對稱電感的Q值與頻率的關(guān)系圖。
圖12為圖4的示意圖應(yīng)用于一個(gè)對稱電感的L值與頻率的關(guān)系圖。
圖13為圖4的示意圖應(yīng)用于一個(gè)對稱電感的Q值與頻率的關(guān)系圖。
圖14為圖9的示意圖應(yīng)用于一個(gè)對稱電感的L值與頻率的關(guān)系圖。
圖15為圖9的示意圖應(yīng)用于一個(gè)對稱電感的Q值與頻率的關(guān)系圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于杭州電子科技大學(xué),未經(jīng)杭州電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220317490.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





