[實用新型]一種圓感應同步器屏蔽層結構

有效

• 申請號: 201220309722.1
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN202781993U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 陸強;楊旭東;章衛祖;鄧容
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海技術物理研究所
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00;B32B27/38;G01B7/30
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 郭英

技術領域

本實用新型涉及一種圓感應同步器屏蔽層結構，尤其是涉及一種在航天環境中使用的基于真空鍍膜的圓感應同步器的屏蔽層結構。?

背景技術

感應同步器是一種角位移傳感器，是一種多極感應元件。由于多極結構對誤差起補償作用，所以元件具有很高的精度。感應同步器按其運動方式的不同，分旋轉式和直線式兩種，前者用來檢測旋轉角度，后者用來檢測直線位移。其結構都包括固定和運動兩部分。對旋轉式分別稱定子和轉子；對直線式，則分別稱為定尺和滑尺。?

感應同步器有耐惡劣環境，測量精度高，壽命長，成本低，安裝方便，運行速度快，穩定可靠等優點。所以感應同步器的應用領域廣，遍及航天、航空、機械制造、精密儀器、計量等部門。圓感應同步器可以測量整個圓周內的任意角度，常用于數顯轉臺、數控轉臺、陀螺平臺、火炮控制、導航制導、雷達天線、經緯儀等。?

為了屏蔽電磁干擾，提高測角精度，在圓感應同步器轉子表面需鍍屏蔽層。在某航天系統應用中，感應同步器精度要求高，屏蔽層的影響顯著，因此屏蔽層質量的好壞至關重要。?

傳統方法屏蔽層用鋁箔或鋁膜做成，用絕緣環氧膠將鋁箔貼到轉子繞組上。由于鋁箔厚度為0.1mm，而定子與轉子之間間隙為0.2mm。由于其間氣隙的變化要影響到電磁耦合度的變化，因此氣隙一般必須保持在0.2±0.05mm的范圍?內。在嚴酷的高真空與惡劣的高低溫環境下，鋁箔容易因環氧膠起氣泡而鼓起、脫落，造成同步器轉子與定子短路，導致感應同步器失效，最終導致航天系統失效。所以傳統的屏蔽層結構無法滿足某航天系統的真空環境要求，需要針對屏蔽層的結構展開深入研究。?

發明內容

本實用新型的目的是提供一種基于真空鍍膜的圓感應同步器屏蔽層結構，解決圓感應同步器在航天環境中使用的技術問題。?

當前某航天系統對圓感應同步器的精度要求越來越高，為了適應航天系統的真空環境要求，更好的滿足航天系統要求，進行了對圓感應同步器的屏蔽層結構的研究。并且做了一系列試驗對該結構進行了驗證測試。試驗結果表明，圓感應同步器鍍膜前與鍍膜后的精度沒有改變，屏蔽層粘附良好，新的結構穩定可控。?

圓感應同步器的定轉子都由基板、絕緣層和繞組構成。基板成環型，材料為硬鋁、不銹鋼或玻璃。繞組用銅做成，厚度在0.05mm左右。在轉子繞組的表面鍍由環氧樹脂層2和真空鍍膜層組成的屏蔽層，其中真空鍍膜層由氧化硅絕緣層3、鋁膜4、氧化硅保護層5構成，鍍完膜后的轉子繞組結構如圖1所示。屏蔽層結構為在轉子繞組1上依次為環氧樹脂層2、氧化硅絕緣層3、鋁膜4和氧化硅保護層5，其中：?

所述的環氧樹脂層2的厚度在0.08mm以內。?

所述的氧化硅絕緣層3、鋁膜4和氧化硅保護層5的厚度均為0.001mm~0.003mm。?

附圖說明

圖1為圓感應同步器轉子繞組鍍膜示意圖，其中：1為轉子繞組，2為環氧樹脂層，3為氧化硅絕緣層，4為鋁膜，5為氧化硅保護層。?

具體實施方式

經過長時間的反復試驗，最終屏蔽層的制作步驟確定如下：?

1.涂第一層環氧樹脂膠。用酒精和乙醚混合液清洗轉子表面，在繞組銅皮上涂環氧樹脂膠，然后將涂好環氧樹脂膠的轉子放置在真空箱。膠層涂覆位置應為：繞組銅皮的內圈到外圈，保護圓感應同步器轉子的徑向金屬安裝面、外圓柱面及內孔安裝面。?

2.環氧樹脂膠固化。在室溫下使膠層固化，時間≥48小時。?

3.磨環氧樹脂膠層，等膠干之后，在磨床上將環氧膠層磨平，磨削膠層厚度控制在0.02～0.04mm。?

4.涂第二層環氧樹脂膠，在磨平的環氧樹脂膠層上澆稀釋的環氧樹脂膠，用臺式勻膠機將膠層甩平，然后放置于真空箱半小時。第二層的環氧膠厚度控制在0.02～0.04mm。膠層涂覆位置應為：繞組銅皮的內圈到外圈，保護圓感應同步器轉子的徑向金屬安裝面、外圓柱面及內孔安裝面。兩層環氧樹脂膠總厚度控制在0.08mm以內。?

5.環氧膠固化。膠層固化時間≥48小時。?

6.鍍氧化硅，等環氧膠干之后，在膠層上面鍍氧化硅，厚度控制為0.001～0.003mm。膜層位置應為：繞組銅皮的內圈到外圈，保護圓感應同步器轉子的徑向金屬安裝面、外圓柱面及內孔安裝面。?

7.鍍導電層鋁膜，在氧化硅上面再鍍一層鋁，厚度控制為0.001～0.003mm。膜層位置應為：覆蓋轉子繞組的整個平面，且保護外圓柱面及內孔安裝面。?

8.鍍保護層氧化硅，在鋁層上鍍氧化硅，厚度控制為0.001～0.003m?m。?