[實用新型]等離子處理裝置及其法拉第屏蔽裝置

有效

• 申請號: 201220309133.3
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN202839531U
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 許頌臨
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種用于射頻電感式耦合等離子處理裝置的法拉第屏蔽裝置，所述等離子體處理裝置包括至少一個反應腔室，所述反應腔室包括一絕緣窗口，在所述絕緣窗口上方設置有射頻線圈，所述法拉第屏蔽裝置設置于所述反應腔室和相對應的射頻線圈之間，所述法拉第屏蔽裝置上設置有至少一個射頻通道，由線圈產生的磁場能夠通過所述射頻通道耦合到反應腔室內部，其特征在于，所述法拉第屏蔽裝置具有第一部分和第二部分，所述第一部分上設置射頻通道的密度大于所述第二部分上設置射頻通道的密度。

2.根據權利要求1所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述法拉第屏蔽裝置的第一部分對應于所述等離子處理裝置內磁場強度最小的第一區域設置。

3.根據權利要求2所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述第一區域包括所對應的線圈密度最小的區域。

4.根據權利要求3所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述射頻通道的形狀包括：

-徑向槽；

-孔。

5.根據權利要求4所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述射頻通道的數目以及在所述法拉第屏蔽裝置上的分布由所述等離子處理裝置內的磁場分布確定。

6.根據權利要求5所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述射頻通道占所述法拉第屏蔽裝置的面積的取值范圍為20%~80%

7.根據權利要求6所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述射頻通道的形狀為徑向槽，所述徑向槽的長度和寬度的分別為200mm和10mm，其中，所述法拉第屏蔽裝置為圓盤形，其直徑為500mm。

8.一種射頻電感式耦合等離子處理裝置，其特征在于，所述等離子處理裝置包括權利要求1至7任一項所述的法拉第屏蔽裝置。

9.根據權利要求8所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述等離子處理裝置還包括一傳感器，其用于檢測所述等離子處理裝置的反應腔室內部的?磁場強度。

10.根據權利要求9所述的等離子處理裝置，其特征在于，所述等離子處理裝置還包括一自動調節裝置，其接收來自所述傳感器的關于反應腔室內部的磁場強度的感應信號，并根據所述感應信號調整法拉第屏蔽裝置的第一部分和第二部分的位置。?