[實用新型]一種頂柵型TFT陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201220308609.1
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN202651115U
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 徐少穎;謝振宇;李婧
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本實用新型涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種頂柵型TFT陣列基板及顯示裝置。

背景技術

目前，液晶顯示面板（LCD）、電致發光（EL）顯示面板以及電子紙等顯示裝置已為人所熟知。在這些顯示裝置中，控制各像素開關的薄膜晶體管（TFT，Thin?Film?Transistor）陣列基板按其結構可以分為：頂柵型TFT和底柵型TFT。其中，頂柵型TFT的結構為：柵絕緣層覆蓋有源層，然后在該有源層上形成柵電極。

TN型TFT陣列基板的具體結構如圖1所示。從圖1中可以看出，在現有頂柵型TFT陣列基板的結構中，柵電極7和柵掃描線（圖1中未示出）位于整個器件的頂部，為了保證器件在使用過程中不被外界影響，必須采用單獨的一步工藝制備鈍化層9，該鈍化層9會覆蓋在整個像素電極8、柵電極7和柵掃描線之上，以起到保護柵電極7和柵掃描線的作用，這樣，會使頂柵型TFT陣列基板的結構相對復雜，制備工藝相對繁瑣，增加了生產成本。

實用新型內容

本實用新型實施例提供了一種結構和工藝簡單、成本低廉的頂柵型TFT陣列基板及顯示裝置。

本實用新型提供的頂柵型TFT陣列基板，包括：

基板，

形成在基板上的有源層、源電極和漏電極，

形成于所述有源層上的柵絕緣層，

形成于所述柵絕緣層上的柵電極和柵掃描線，

形成于所述柵電極和柵掃描線上的鈍化層，

以及形成于所述柵絕緣層上的第一電極，

所述鈍化層與所述第一電極同層設置。

優選地，所述第一電極和鈍化層為ITO或IZO材料。

具體地，所述第一電極與所述源電極或漏電極電連接。

優選地，所述第一電極為狹縫狀電極。

優選地，所述第一電極為平面狀電極。

本實用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的頂柵型TFT陣列基板。

本實用新型實施例的有益效果包括：

本實用新型實施例提供的一種頂柵型TFT陣列基板及顯示裝置，將鈍化層與第一電極同層設置，在起到保護柵電極和柵極掃描線的條件下，簡化了頂柵型TFT陣列基板的結構；并且，由于鈍化層和第一電極同層設置，這樣可以使用一次構圖工藝同時制備出鈍化層和第一電極，簡化了制備工藝，節省了生產成本。

附圖說明

圖1為現有技術中TN型的頂柵型TFT陣列基板的示意圖；

圖2-圖6為本實用新型實施例提供的實例一的各步驟的結構示意圖；

圖7為本實用新型實施例提供的實例一的另一種陣列基板的結構示意圖；

圖8為本實用新型實施例提供的實例二的結構示意圖；

圖9為本實用新型實施例提供的實例三的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖，對本實用新型實施例提供的頂柵型TFT陣列基板及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。

附圖中各層的厚度和區域的大小形狀不反映TFT陣列基板的真實比例，目的只是示意說明本實用新型內容。

本實用新型實施例提供的一種頂柵型TFT陣列基板，包括：

基板，

形成在基板上的有源層、源電極和漏電極，對有源層、源電極和漏電極的上下位置關系，在此不做限制；

形成于有源層上的柵絕緣層，

形成于柵絕緣層上的柵電極和柵掃描線，

形成于柵電極和柵掃描線上的鈍化層，

以及形成于柵絕緣層上的第一電極，

該鈍化層與第一電極同層設置。

上述本實用新型實施例提供的頂柵型TFT陣列基板中，形成于柵電極和柵掃描線上的鈍化層與形成于柵絕緣層上的第一電極同層設置，相對于現有頂柵型TFT陣列基板中鈍化層覆蓋在柵電極、柵掃描線以及像素電極之上的結構，將鈍化層簡化成覆蓋在柵電極和柵掃描線之上且與形成在柵絕緣層上的第一電極同層設置的結構，在起到保護其不受外界環境影響的作用前提下，能夠簡化頂柵型TFT陣列基板的結構；并且，由于鈍化層和第一電極同層設置，這樣可以使用一次構圖工藝同時制備出鈍化層和第一電極，簡化了制備工藝，節省了生產成本。

在具體實施時，本實用新型實施例提供的上述頂柵型TFT陣列基板可以為TN型、平面轉換（IPS，In?Plane?Switching）型或邊緣開關（FFS，Fringe?Field?Switching）型的TFT陣列基板。