[實用新型]NAND Flash芯片的數據檢測裝置

有效

• 申請號: 201220306137.6
• 申請日: 2012-06-28
• 公開（公告）號: CN202632785U
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 粱效寧;許超明
• 申請（專利權）人: 內江市效率源信息安全技術有限責任公司
• 主分類號: G11C29/52
• 分類號: G11C29/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及數據閃存技術領域，特別是一種NAND?Flash芯片的數據檢測裝置。

背景技術

閃存(FLASH)器件是基于半導體工藝制作的集成電路芯片，具有防磁、抗震、耐潮、體積小等優異性能。作為固態存儲介質的大容量數碼存儲芯片，比照傳統磁記錄和光盤存儲器，NAND?FLASH器件具有無機械結構、可反復擦寫、速度快、功耗低等顯著優點，目前已經在移動存儲領域(例如U盤，MP3播放器，數碼存儲卡，固態硬盤等等)和嵌入式應用系統中成為無可爭議的主角。

FLASH存儲芯片在生產切割或者封裝后，FLASH生產廠家僅對其進行了簡單的物理測試，如芯片管腳功能測試，物理特性測試。但是由于NANDFLASH本身存在的問題，即NANDFLASH在出廠時，可以有一定比例的壞塊存在，但是由于某些應用終端中，需要燒寫文件系統的區域不能有壞塊，否則將使得文件系統燒寫不成功，進而使得系統不能正常啟動。所以，在NANDFLASH焊接之前需要檢測需要燒寫文件系統的區域是否存在壞塊。

因此，亟需一種產品能夠對FLASH存儲芯片的性能(包括能否正常使用，容量的壞塊(Block)比率等)做全面的測試。

實用新型內容

針對現有技術中存在的不足，本實用新型的目的是提供一種NAND?Flash芯片的數據檢測裝置。

本實用新型的技術方案是：

一種NAND?Flash芯片的數據檢測裝置，由待測NAND?Flash芯片、NAND?Flash芯片控制器、中央處理器、存儲器和顯示器組成，所述NAND?Flash芯片控制器包括第一接口、第二接口、CPU、數據緩存單元、ROM和RAM，所述NAND?Flash芯片控制器通過其第一接口與待測NAND?Flash芯片連接，所述NAND?Flash芯片控制器通過其第二接口與中央處理器連接。

作為優選技術方案，本實用新型所述中央處理器與存儲器集成在一個集成電路中。

作為優選技術方案，本實用新型所述存儲器為外置存儲器。

作為優選技術方案，本實用新型所述存儲器為硬盤、U盤或存儲卡。

作為優選技術方案，本實用新型所述顯示器為LCD或LED顯示器。

本實用新型的有益效果是：本實用新型實現了對NAND?Flash芯片內部邏輯性能和結構分布進行測試，并做壞塊標記，并將標記的NAND?Flash芯片的壞塊通過顯示器進行顯示。

本實用新型的結構簡單，設計合理，體積小，成本低，并且測試效率高，適合推廣應用。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

請參閱圖1，提出本實用新型的實施例1，本實施例是一種NAND?Flash芯片的數據檢測裝置，由待測NAND?Flash芯片、NAND?Flash芯片控制器、中央處理器、存儲器和顯示器組成，所述NAND?Flash芯片控制器包括第一接口、第二接口、CPU、數據緩存單元、ROM和RAM，所述NAND?Flash芯片控制器通過其第一接口與待測NAND?Flash芯片連接，所述NAND?Flash芯片控制器通過其第二接口與中央處理器連接。

本實用新型所述中央處理器與存儲器集成在一個集成電路中。或者，本實用新型所述存儲器為外置存儲器。進一步地，本實用新型所述存儲器可選用硬盤、U盤或存儲卡。

本實用新型所述顯示器為LCD或LED顯示器。

以上所述僅為本實用新型的優選實施例，并非因此而限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內容所作的等效結構變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內。