[實(shí)用新型]硅片全面檢測(cè)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220302743.0 | 申請(qǐng)日： | 2012-06-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202614177U | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳才曠;肖宗杰;白德海;羅世鋌;常平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京合能陽光新能源技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01B7/06 | 分類號(hào)： | G01B7/06;G01R27/02;G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京康盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11331 | 代理人： | 張定花;李貴蘭 |
| 地址： | 101113 北京市通州*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅片 全面 檢測(cè) 裝置 | ||
1.一種硅片全面檢測(cè)裝置，其特征在于：包括機(jī)箱及其內(nèi)部的傳送模塊、激光器、攝像頭、厚度測(cè)試模塊、電阻率測(cè)試模塊和終端；所述激光器、攝像頭、厚度測(cè)試模塊和電阻率測(cè)試模塊沿所述傳動(dòng)模塊傳送方向依次排放在所述傳送模塊上端；所述傳送模塊、激光器、攝像頭、厚度測(cè)試模塊和電阻率測(cè)試模塊與分別與所述終端電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的硅片全面檢測(cè)裝置，其特征在于：所述厚度測(cè)試模塊包括厚度測(cè)量上、下探頭和厚度測(cè)量控制器，所述厚度測(cè)量上、下探頭為一對(duì)電容原理位移測(cè)量探頭。
3.如權(quán)利要求1所述的硅片全面檢測(cè)裝置，其特征在于：所述電阻率測(cè)試模塊包括電阻率測(cè)量上、下探頭和電阻率測(cè)量控制器，所述電阻率測(cè)量上、下探頭為一對(duì)電渦流原理電阻率測(cè)量探頭。
4.如權(quán)利要求1所述的硅片全面檢測(cè)裝置，其特征在于：所述攝像頭為近紅外攝像頭。
5.如權(quán)利要求4所述的硅片全面檢測(cè)裝置，其特征在于：所述攝像頭的波長(zhǎng)范圍為900-1700nm。
6.如權(quán)利要求1所述的硅片全面檢測(cè)裝置，其特征在于：所述激光器為功率30W、發(fā)射激光波長(zhǎng)810nm的激光器。
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