[實(shí)用新型]高電壓兼容輸入系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220302366.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202713266U | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 談向陽(yáng);陳達(dá)華;汪祥文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市威爾科思技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K19/0185 | 分類號(hào): | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 廣州天河互易知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44294 | 代理人: | 鮑子玉 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電壓 兼容 輸入 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及集成電路領(lǐng)域,尤其涉及一種用于集成電路的高電壓兼容輸入系統(tǒng)。
背景技術(shù)
集成電路,是20世紀(jì)60年代初期發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體器件,經(jīng)過(guò)氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸鋁等制造工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等與器件及布線互連在一起,制作在一小塊或者幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。在電路中用字母“IC”表示,具有體積小、重量輕、引出線和焊接點(diǎn)少、壽命長(zhǎng)、可靠性高、性能好的特點(diǎn),同時(shí)成本低,便于大規(guī)模生產(chǎn),部件在工、民用電子設(shè)備等方面得到廣泛的應(yīng)用,同時(shí)也在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應(yīng)用。但是在現(xiàn)今如此浩瀚的集成電路芯片中,都是為了滿足各種各樣電子設(shè)備的需求而制作的,目前在中、大功率輸出的集成電路芯片中,工作電壓往往高于一般兼容TTL和低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管制程CMOS邏輯電路的5V電壓,即普遍在12V、15V或者18V,因此,對(duì)于此類工作電壓高于5V、又需通過(guò)電壓水平兼容TTL或者低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管制程CMOS邏輯電路進(jìn)行邏輯通信的集成電路芯片而言,輸出端則需要通過(guò)復(fù)雜的電路進(jìn)行電壓的轉(zhuǎn)換,使得整個(gè)電路更大龐大,同時(shí)還容易出現(xiàn)故障。另外,對(duì)于某個(gè)電子設(shè)備而言,其內(nèi)部的電路則肯定是由許許多多的不同芯片構(gòu)成,同時(shí),對(duì)于不同的芯片,肯定也存在多種工作電壓,那么對(duì)于需要通過(guò)復(fù)雜外圍電路進(jìn)行電壓的轉(zhuǎn)換,則無(wú)疑是個(gè)棘手的問(wèn)題,電路布局會(huì)更加復(fù)雜,使用的電子元器件也會(huì)更多,從而也就導(dǎo)致故障率和成本的提升。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型實(shí)施例的目的是:提供一種高電壓兼容輸入系統(tǒng),大大簡(jiǎn)化了高低不同電壓的芯片之間的介面問(wèn)題,使系統(tǒng)的元件數(shù)目減少,增加穩(wěn)定性和可靠性。
本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種高電壓兼容輸入系統(tǒng),包括降壓模塊,用于將輸入端的電壓降至兼容TTL的輸入電壓范圍內(nèi);
參考電壓源,用于提供參考電壓,并且具有電壓鉗制功能;
模擬比較器,用于確定輸入電壓的邏輯狀態(tài);
所述降壓模塊、參考電壓源和模擬比較器相互電相連。
可選的,還包括電平轉(zhuǎn)換器;所述電平轉(zhuǎn)換器用于調(diào)整從所述模擬比較器輸出的信號(hào)電壓達(dá)到連接芯片的工作電壓水平。
可選的,所述降壓模塊采用電阻和PNP晶體管構(gòu)成。
可選的,所述電阻為多晶電阻或者耐高壓電阻。
可選的,所述參考電壓源采用低交流阻抗的穩(wěn)壓器件。
可選的,所述穩(wěn)壓器件為NPN晶體管、MOS管和齊納二極管中的任意一種。
由上可見,應(yīng)用本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案,是利用參考電壓源生成可修改的入門限值以及高輸入電壓的集成電路輸入管腳的線路,此線路可以在任何雙極BI-CMOS、雙極-金屬氧化物半導(dǎo)體BCD及一般的低壓制程上實(shí)現(xiàn)。即通過(guò)所述降壓模塊對(duì)輸入端的電壓降至輸入電壓水平兼容TTL的電壓范圍內(nèi),在此降壓過(guò)程中,也需要所述參考電壓源作為參考電壓,同時(shí)對(duì)電壓起到鉗制作用。經(jīng)過(guò)降壓的輸入電壓與所述參考電壓源比較后,模擬比較器從而確定輸入電壓的邏輯狀態(tài)。如果輸入電壓與被連接芯片的電壓為同一電壓,則無(wú)需電平轉(zhuǎn)換器的接入;如果輸入電壓與被連接的芯片的電壓不一致,需要提升或者下降,則才需要所述電平轉(zhuǎn)換器的接入。本實(shí)用新型所述的高電壓兼容輸入系統(tǒng)可大大簡(jiǎn)化高低不同電壓的芯片之間的介面問(wèn)題,使系統(tǒng)的元件數(shù)目減少,增加穩(wěn)定性和可靠性。
附圖說(shuō)明
此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分,并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定,在附圖中:
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1提供的一種高電壓兼容輸入系統(tǒng)的原理簡(jiǎn)圖;
圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1提供的一種高電壓兼容輸入系統(tǒng)的電路原理圖;
圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1提供的一種高電壓兼容輸入系統(tǒng)中的部分電路原理圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖以及具體實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型,在此本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例以及說(shuō)明用來(lái)解釋本實(shí)用新型,但并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。
實(shí)施例1:
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