[實用新型]晶圓焊墊的化鍍鎳凸塊結構

有效

• 申請號: 201220300458.5
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN202712167U
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 宋大侖;朱貴武;賴東昇
• 申請（專利權）人: 訊憶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

技術領域

本實用型新涉及一種晶圓焊墊的化鍍鎳凸塊結構，特別涉及一種含有晶圓、多個觸媒層、多個化鍍鎳凸塊及多個外護層的晶圓焊墊的化鍍鎳凸塊結構。

背景技術

在有關半導體芯片或晶圓的連結（如焊墊凸塊）、封裝（package）或其相關制造方法的技術領域中，目前已存在多種先前技術，如：中國臺灣M397591、M352128、M412460、M412576、M410659，I306638、I320588、I255538、I459362、I253733、I273651、I288447、I295498、I241658、I259572、I472371、I242866、I269461、I329917、I282132、I328266、I284949；及美國實用型新專利US?8,030,767、US?7,981,725、US7,969,003、US?7,960,214、US7,847,414、US7,749,806、US7,651,886、U?S7,538,020、US7,750,467、US7,364,944、US7,019,406、US?6,507,120、U?S7,999,387、US7,993,967、US7,868,470、US7,868,449、US7,972,902、US7,960,825、US7,952,187、US7,944,043、US7,934,313、US?7,906,855等。而經過研究上述該些先前技術內容可知，該些專利幾乎都屬于在其技術領域中微小的改進。換言之，在有關半導體芯片或晶圓的連結、封裝或其相關制備方法的技術領域中，其技術發展的空間已相當有限，因此在此技術發展空間有限的領域中（in?the?field?of?the?crowded?art），如能在技術上有微小的改進，亦得視為具有「進步性」，仍能核準專利。

本實用型新晶圓焊墊的化鍍鎳凸塊結構，是在凸塊結構及其制備方法的技術發展空間有限的領域中，提出一種具有簡化制造過程及降低制作成本的功效，且進一步能有效改良并降低所成形的化鍍鎳凸塊的硬度以滿足后制程中接著程序的要求的實用型新。由于上述該些先前技術在形成該些凸塊之前必須以凸塊底層金屬化（Under?Bump?Metallization，UBM）制程在該些焊墊上先形成一金屬層，再以金屬電鍍或印刷銀膏的方式在該些焊墊的金屬層上形成該些凸塊，因此，該些先前技術的制造過程不僅成本較高且制作困難度也較高，相對地造成制程較復雜化及產量降低，況且該些凸塊需使用較多的貴金屬材料。

另，以銀膠形成的凸塊而言，銀膠凸塊的硬度范圍較大，也就是硬度可以由較軟改變至較硬，可利用烘烤條件來調整；然，以化鍍鎳凸塊而言，化鍍鎳凸塊的硬度范圍較小，也就是化鍍鎳凸塊的表面硬度過大且無法利用烘烤條件來調整，因此不利于后制程的接著程序。

由上可知，該些先前技術的結構及制作方法難以符合實際使用時的需求，因此在晶圓焊墊的凸塊結構及其制備方法的技術領域中，發展并設計一種制作過程簡化、制作成本降低且凸塊的表面硬度符合后制程的接著程序要求的凸塊結構，確實有其需要性。

實用型新內容

本實用型新主要目的是提供一種晶圓焊墊的凸塊結構，其在設有光阻的狀態下，利用無電解鎳方式以在該些晶圓焊墊的表面的觸媒層的表面分別形成一具適當高度且以無電解鎳構成的凸塊，再利用選自化金制程、化銀制程的族群中之一制作過程以分別在各凸塊的上表面上形成一外護層，以使該外護層包含至少一保護層其選自浸金（IG）層（在鎳上長一層金，一般稱為化學電鍍鎳/金，electroless?nickel/immersion?gold,ENIG）、化銀（ES）層的族群中的一種材料所構成，藉以改良并降低該化鍍鎳凸塊的硬度，并達成制作過程簡化及制作成本降低的效果。