[實用新型]一種石墨熱場的導流筒結構

有效

• 申請號: 201220296633.8
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN202671711U
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 孫平川;楊江華;王賢福;韓冰;計冰雨
• 申請（專利權）人: 蕪湖昊陽光能股份有限公司
• 主分類號: C30B15/14
• 分類號: C30B15/14;C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 張小虹

技術領域

本實用新型涉及石墨熱場技術領域，具體涉及一種石墨熱場的導流筒結構。

背景技術

切克勞斯基法即CZ直拉單晶法，通過電阻加熱，將石英坩堝中的多晶硅料熔化，并保持略高于硅熔點的溫度，在惰性氣體的保護下，經過引晶、放肩、轉肩、等徑、收尾、晶體取出等步驟，完成晶體生長。眾所周知，硅的熔點是1420℃，如果是在20寸開放式熱場裝置、投料量105kg，要維持這個溫度，每小時需消耗100kw左右的電能。目前世界能源緊張，能源成本所占比重日益增加。如何降低生產能耗，直接關系到企業的生存大計。

傳統的石墨熱場的熱屏外的導流筒上沒有反射裝置，熱輻射反射率低。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是，針對現有技術的不足，提供一種熱輻射反射率高的石墨熱場的導流筒結構。

為解決上述技術問題，本實用新型的技術方案是：一種石墨熱場的導流筒結構，包括導流筒本體，所述的導流筒本體的外壁和內壁上分別設有熱輻射反射層。

所述的熱輻射反射層為鉬層。

所述的鉬層厚度為0.5-0.6mm。

本實用新型采用上述結構，具有以下優點：1、耐高溫、熱輻射反射率高、使用壽命長；2、鉬層采用斜面反射角度，即增加熱輻射的反射率又不影響熱屏的絕熱效果。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明；

圖1為本實用新型的結構示意圖；

在圖1在，1、導流筒本體；2、熱輻射反射層。

具體實施方式

如圖1所示一種石墨熱場的導流筒結構，包括導流筒本體，導流筒本體1的外壁和內壁上分別設有熱輻射反射層2。熱輻射反射層2為鉬層。鉬層可為鉬片，其厚度為0.5-0.6mm。鉬片作為反射層，耐高溫、熱輻射反射率高、使用壽命長，鉬層采用斜面反射角度，即增加熱輻射的反射率又不影響熱屏的絕熱效果。

該石墨熱場耐高溫、熱輻射反射率高、使用壽命長。鉬層采用斜面反射角度，即增加熱輻射的反射率又不影響熱屏的絕熱效果，以上技術方案的應用使20寸傳統封閉式熱場維持1420℃的拉制條件需要每小時消耗電能75~70KW降低至50~45KW/h，節能超過35%；相對原始的開放式熱場節能超過55%。同時進一步改變了單晶生長時晶體的縱向溫度梯度，相對傳統的封閉式熱場，拉速增加0.15mm/min。極大提高了設備生產效率，降低生產成本。

上面結合附圖對本實用新型進行了示例性描述，顯然本實用新型具體實現并不受上述方式的限制，只要采用了本實用新型的技術方案進行的各種改進，或未經改進直接應用于其它場合的，均在本實用新型的保護范圍之內。