[實用新型]背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器有效
| 申請號： | 201220293439.4 | 申請日： | 2012-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN202633314U | 公開（公告）日： | 2012-12-26 |
| 發明（設計）人： | 費孝愛 | 申請（專利權）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背照式 互補 金屬 氧化物 半導體 影像 傳感器 | ||
1.一種背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器，包括：
圖形晶片，具有正面；
位于所述圖形晶片正面上的金屬層間介質層，其內部形成有金屬互連電路；
位于所述金屬層間介質層上方的絕緣介質層；
位于絕緣介質層上的載片，所述載片通過所述金屬互連電路與所述圖形晶片鍵合；
其特征在于，所述絕緣介質層的厚度為
2.如權利要求1所述的背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器，其特征在于，所述絕緣介質層為氧化層、氮化層或由氧化層和氮化層構成的堆疊結構。
3.如權利要求2所述的背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器，其特征在于，所述氧化層包括硼磷硅酸鹽玻璃層、磷硅酸鹽玻璃層、硼硅玻璃層、正硅酸四乙酯層、高密度等離子體層和二氧化硅層中的至少一層。
4.如權利要求2所述的背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器，其特征在于，所述氮化層包括氮化硅層和/或氮氧化硅層。
5.如權利要求1所述的背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器，其特征在于，所述絕緣介質層的厚度通過化學機械研磨工藝控制。
6.如權利要求1至5中任一項所述的背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器，其特征在于，所述絕緣介質層的厚度為
7.如權利要求1所述的背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器，其特征在于，所述圖形晶片還具有與其正面相背的背面。
8.如權利要求7所述的背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器，其特征在于，所述背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器還包括：位于所述圖形晶片背面上的顏色濾鏡以及位于所述顏色濾鏡上的片上鏡片。
9.如權利要求8所述的背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器，其特征在于，所述片上鏡片為微透鏡。
10.如權利要求1所述的背照式互補型金屬氧化物半導體影像傳感器，其特征在于，所述圖形晶片中形成有多個光電二極管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
