[實用新型]橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管

有效

• 申請號: 201220292705.1
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN202816954U
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 唐納徳R.迪斯尼
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417;H01L29/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

相關引用

本實用新型要求2011?年?8?月?18?日在美國提交的第13/213,011?號專利申請的優先權和權益，并且在此包含了該申請的全部內容。

技術領域

本實用新型的實施例涉及半導體器件，尤其涉及橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管。

背景技術

橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管（LDMOS）廣泛應用于各種集成電源管理電路中。通常，LDMOS在這些電源管理電路中作為功率晶體管不斷地響應于控制信號而進行導通和關斷的切換以實現功率轉換。

圖1A示出了一種LDMOS?100的縱向剖面示意圖。如圖1A所示，該LDMOS?100可以形成于P型半導體襯底101上。該LDMOS?100可以包括形成于半導體襯底101上中的N型漂移區102，形成于該N型漂移區102中的P型體區103，形成于該P型體區103中的源區104，形成于N型漂移區102中的漏區105，形成于源區104和漏區105之間的那部分N型漂移區之上的柵區106，以及分別與源區104、漏區105和柵區106分別耦接的源電極接觸109、漏電極接觸110和柵電極接觸（圖1A中未示出）。

源區104可以包括重摻雜的N型區（圖1A中用N⁺區表示），漏區105也可以包括重摻雜的N型區（圖1A中用N⁺區表示）。柵區106可以包括多晶硅層106_A以及包裹多晶硅層106_A的隔離層106_B。柵區106可以覆蓋源區104和體區103的一部分，還可以覆蓋漏區105的一部分。

通常，LDMOS?100還可以進一步包括重摻雜的P型區107（圖1A中示意為P⁺區）和/或摻雜濃度低于P⁺區107的另一P型區108（圖1A中示意為DP區），其中，P⁺區107可以形成于所述源區104中，DP區?????108可以形成于P⁺區107的下方。所述P⁺區107和?DP區??????108的作用是作為體接觸區耦接P型體區103與源電極接觸109，以減小源區104下方的從源電極接觸109到接近柵區106的源區104一端的體區103的電阻。這樣，分別以N型漂移區102、P型體區103和源區104為集電極、基極和發射極形成的寄生NPN雙極型晶體管的基區電阻減小，使得LDMOS?100不易被擊穿，從而其穩固性增強。

形成LDMOS?100的方法及工藝步驟對本領域的技術人員來說是公知的，因而在此不作贅述。圖1B示出了LDMOS?100的部分縱向截面示意圖以凸顯源區開孔112。源區開孔112在柵區106形成之后而形成，將體區103的一部分露出，以便接下來在露出的那部分體區103中形成源區104、P⁺區107和/或DP區108。如圖1B所示出的源區開孔112由相鄰的兩個LDMOS?100的柵區106限定，并且由該相鄰的兩個LDMOS?100共用。源區開孔112的尺寸大小應該適當以便源區104、P⁺區107和/或DP區108以及源電極接觸109可以很好地通過源區開孔112形成。由圖1B的示意可見，源區開孔112具有橫向寬度L_S，并且L_S可以通過式L_S=L_CT+2L_CT-gate表示，其中L_CT表示由相鄰的兩個LDMOS?100共用的源電極接觸109的橫向寬度，L_CT-gate表示由源電極接觸的一側邊緣E_CT到柵區106的一側邊緣E_gate之間的橫向距離。