[實用新型]一種MEMS可重構微波定向耦合器有效
| 申請號： | 201220288201.2 | 申請日： | 2012-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN202737078U | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 廖斌;林鑫;朱守正 | 申請（專利權）人： | 華東師范大學 |
| 主分類號： | H01P5/18 | 分類號： | H01P5/18 |
| 代理公司： | 上海麥其知識產權代理事務所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董紅曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 可重構 微波 定向耦合器 | ||
1.一種MEMS可重構微波定向耦合器，其特征在于，包括基片（1）、接地平面（2）、輸入端口（10）、輸出端口（11）、隔離端口（12）、耦合端口（13）、平行耦合微帶線（20，21）、附加不對稱耦合線（30，31）、四個MEMS開關（41，42，43，44）、四個MEMS開關下電極（51，52，53，54）、四個MEMS開關偏置電壓輸入端口（61，62，63，64）、金屬浮片（7）、加載介質層（8）和四個阻抗調配段（91，92，93，94）；
所述第一平行耦合微帶線（20）、第一附加不對稱耦合線（30）、第二附加不對稱耦合線（31）與第二平行耦合微帶線（21）依次等距離平行設置在所述基片（1）上；所述第一平行耦合微帶線（20）、第一附加不對稱耦合線（30）、第二附加不對稱耦合線（31）與第二平行耦合微帶線（21）的上方覆蓋有所述加載介質層（8），所述加載介質層（8）的上方設置有金屬浮片（7）；
所述輸入端口（10）通過所述第一阻抗調配段（91）與所述第一平行耦合微帶線（20）的左端連接；
所述輸出端口（11）通過所述第二阻抗調配段（92）與所述第一平行耦合微帶線（20）的右端連接；
所述隔離端口（12）通過所述第三阻抗調配段（93）與所述第二平行耦合微帶線（21）的左端連接；
所述耦合端口（13）通過所述第四阻抗調配段（94）與所述第二平行耦合微帶線（21）的右端連接；
所述第一MEMS開關（41）連接所述第一平行耦合微帶線（20）的左端與所述第一附加不對稱耦合線（30）的左端；
所述第二MEMS開關（42）連接所述第一平行耦合微帶線（20）的右端與所述第一附加不對稱耦合線（30）的右端；
所述第三MEMS開關（43）連接所述第二平行耦合微帶線（21）的左端與所述第二附加不對稱耦合線（31）的左端；
所述第一MEMS開關（44）連接所述第二平行耦合微帶線（21）的右端與所述第二附加不對稱耦合線（31）的右端；
所述四個MEMS開關（41，42，43，44）分別通過所述MEMS開關下電極（51，52，53，54）與所述MEMS開關偏置電壓輸入端口（61，62，63，64）連接；
所述接地平面（2）設置在所述基片（1）的下表面。
2.根據權利要求1所述的MEMS可重構微波定向耦合器，其特征在于，所述輸入端口（10）、輸出端口（11）、隔離端口（12）、耦合端口（13）的長度為4.0mm至5.00mm，寬度為2.9mm至3.10mm。
3.根據權利要求1所述的MEMS可重構微波定向耦合器，其特征在于，所述平行耦合微帶線（20，21）與附加不對稱耦合線（30，31）的長度為8mm至10mm；所述平行耦合微帶線（20，21）的寬度為0.7mm至0.8mm；所述第一附加不對稱耦合線（30）的寬度為0.4mm至0.5mm；所述第二附加不對稱耦合線（31）的寬度為0.1mm至0.15mm。
4.根據權利要求1所述的MEMS可重構微波定向耦合器，其特征在于，所述第一平行耦合微帶線（20）、第一附加不對稱耦合線（30）、第二附加不對稱耦合線（31）與第二平行耦合微帶線（21）之間的距離均為0.1mm。
5.根據權利要求1所述的MEMS可重構微波定向耦合器，其特征在于，所述加載介質板（8）的厚度為130μm?至500μm，介電常數為3.4至10.2，長度為6mm至8mm，寬度為2mm至3.2mm。
6.根據權利要求1所述的MEMS可重構微波定向耦合器，其特征在于，所述基片（1）的介電常數為3.4至10.2；所述基片（1）的厚度為1.4mm至1.6mm。
7.根據權利要求1所述的MEMS可重構微波定向耦合器，其特征在于，所述加載介質板（8）與基片（1）為藍寶石、高阻硅、多孔硅、紅寶石或高頻陶瓷。
8.根據權利要求1所述的MEMS可重構微波定向耦合器，其特征在于，所述MEMS開關（41，42，43，44）采用懸臂梁式結構。
9.根據權利要求1所述的MEMS可重構微波定向耦合器，其特征在于，輸入端口（10）、輸出端口（11）、隔離端口（12）、耦合端口（13）、平行耦合微帶線（20，21）、附加不對稱耦合線（30，31）、四個MEMS開關（41，42，43，44）、四個MEMS開關下電極（51，52，53，54）、四個MEMS開關偏置電壓輸入端口（61，62，63，64）、金屬浮片（7）以及四個阻抗調配段（91，92，93，94）的材料為高導電率金屬材料；所述高導電率金屬材料為金或銅。
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