[實用新型]太陽能二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220286700.8 | 申請日: | 2012-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN202651122U | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐謙 | 申請(專利權(quán))人: | 常州佳訊光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/861 | 分類號: | H01L29/861;H01L23/36 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 何學成 |
| 地址: | 213000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能 二極管 | ||
1.一種太陽能二極管,其包括二極管芯片、上引腳、下引腳和外層封膠,所述的二極管芯片的上表面為具有邊框的窗口,上引腳包括圓形的上凸臺以及上凸臺上方的上引線,下引腳包括圓形的下平臺以及下平臺下方的下引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能二極管,其特征在于:所述的下平臺的上表面的面積大于二極管芯片的下表面的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能二極管,其特征在于:所述的上凸臺的下表面的形狀大小與二極管芯片上表面窗口內(nèi)的區(qū)域的形狀大小相對應。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





