[實用新型]一種集成硅微麥克風與CMOS集成電路的芯片

有效

• 申請號: 201220281909.5
• 申請日: 2012-06-15
• 公開（公告）號: CN202679626U
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 潘昕;宋青林
• 申請（專利權）人: 歌爾聲學股份有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種集成硅微麥克風與CMOS集成電路的芯片，所述芯片以硅晶圓為基片，所述硅晶圓一表面劃分為兩個區域：CMOS集成電路區域和硅微麥克風區域，其特征在于，

所述硅微麥克風區域包括兩個或更多個MEMS聲換能器，MEMS聲換能器之間以并聯、串聯或者差分的方式彼此互聯，并且MEMS聲換能器之間以及MEMS聲換能器與CMOS集成電路之間通過片內的電連接通路實現電氣連接。

2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述各個MEMS聲換能器的背極板由單晶硅和在其上沉積的多晶硅柵層構成，所述多晶硅柵層是在制作CMOS集成電路中由沉積的多晶硅柵層同時延伸至所述硅微麥克風區域形成；刻蝕所述多晶硅柵層形成各個MEMS聲換能器的背電極，背電極之間的電連接通路、背電極與CMOS集成電路之間的電連接通路，以及預留出振膜電極與CMOS集成電路的電氣接口。

3.根據權利要求2所述的芯片，其特征在于，所述各個MEMS聲換能器之間良好匹配。

4.根據權利要求2或3所述的芯片，其特征在于，所述硅微麥克風區域包括四個MEMS聲換能器。

5.根據權利要求4所述的芯片，其特征在于，所述四個MEMS聲換能器之間并聯連接：四個背電極依次連接至CMOS集成電路的一個預留接口；四個振膜電極并列連接至CMOS集成電路的另一個預留接口。

6.根據權利要求4所述的芯片，其特征在于，所述四個MEMS聲換能器之間串聯連接：四個背電極彼此隔離，其中第一個背電極單獨與CMOS集成電路的一個預留接口連接，其余三個背電極各預留一個接口用于與另一MEMS聲換能器的振膜電極相連，四個振膜電極串聯連接，其中前三個振膜電極依次連接至對應的另一MEMS聲換能器的背電極的預留接口，最后一個振膜電極連接至CMOS集成電路的另一個預留接口。

7.根據權利要求4所述的芯片，其特征在于，所述四個MEMS聲換能器之間差分連接：四個背電極依次連接至CMOS集成電路的一個預留接口，四個振膜電極分別對應連接至CMOS集成電路的四個預留接口，所述四個預留接口構成差分放大器的四個輸入點。

8.根據權利要求2或3所述的芯片，其特征在于，所述各個MEMS聲換能器的振動膜上設置有釋放孔。