[實用新型]TFT-LCD陣列基板、顯示面板及其顯示裝置

有效

• 申請號: 201220279617.8
• 申請日: 2012-06-13
• 公開（公告）號: CN202600321U
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 孫雙
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;H01L27/12
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本實用新型涉及液晶顯示器技術領域，尤其涉及一種TFT-LCD陣列基板、顯示面板及其顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD）由于具有體積小、功耗低、無輻射等特點而備受關注，在平板顯示領域中占據了主導地位，被廣泛的應用到各行各業中。在TFT-LCD的實際制造過程中，不可避免的會出現柵線斷線不良或數據線斷線不良，一般常用的修復方法是在斷線處沉積金屬進行修復，但是采用這種方法需要額外的沉積工藝，會造成生產周期的延長。

實用新型內容

本實用新型的實施例提供一種TFT-LCD陣列基板、顯示面板及其顯示裝置，能夠通過更加簡單的方法修復斷線，從而降低了生產周期。

為解決上述技術問題，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

一種TFT-LCD陣列基板，包括：在所述基板上形成的柵線和數據線，還包括：可導電的黑矩陣，該黑矩陣由位于柵線正上方的柵線位條和位于數據線正上方的數據線位條組成。

所述柵線位條和數據線位條均包括絕緣條和位于絕緣條上面的由導電材料形成的導電條。

所述絕緣條的材料為黑色樹脂。

還包括位于所述黑矩陣下方的電絕緣層，該電絕緣層位于所述柵線和數據線上方；所述柵線位條和數據線位條均由導電材料形成的導電條組成。

所述導電條的厚度為

所述導電材料為鉻、鎢、鈦、鉈、鉬、鋁、銅中之一或任意組合的合金。

一種顯示面板，包括上述的TFT-LCD陣列基板和彩膜基板，所述彩膜基板包括有多個用于濾色并分別對應一像素的像素濾色膜；所述黑矩陣的柵線位條和數據線位條均正對于相鄰的像素濾色膜之間位置處。

一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。

本實用新型實施例通過在TFT-LCD陣列基板上形成可導電的黑矩陣，在柵線或數據線發生斷線時，直接利用可導電的黑矩陣中的導電條來修復斷線，與現有技術需要額外的沉積工藝相比，修復方法更加簡單，從而降低了生產周期。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例中TFT-LCD陣列基板的平面示意圖；

圖2為圖1中A-A向的一種剖面圖；

圖3為圖1中A-A向的另一種剖面圖；

圖4為修復柵線斷線時本實用新型實施例中TFT-LCD陣列基板的平面示意圖；

圖5為斷線處在柵線與數據線交叉位置時本實用新型實施例中TFT-LCD陣列基板的平面示意圖；

圖6為修復數據線斷線時本實用新型實施例中TFT-LCD陣列基板的平面示意圖；

圖7為本實用新型實施例中TFT-LCD陣列基板第一次構圖工藝后的平面示意圖；

圖8為圖7中A-A向的剖面圖；

圖9為本實用新型實施例中TFT-LCD陣列基板第二次構圖工藝后的平面示意圖；

圖10為圖9中A-A向的剖面圖；

圖11為本實用新型實施例中TFT-LCD陣列基板第三次構圖工藝后的平面示意圖；

圖12為圖11中A-A向的剖面圖。

附圖標記說明：

1-柵極；2-柵極絕緣層；3-半導體層；4-摻雜半導體層；5-源極；6-漏極；7-可導電的黑矩陣；7a-絕緣條；7b-導電條；7c-絕緣層；8-像素電極；10-玻璃基板；11-柵線；12-數據線；13-薄膜晶體管；20-斷線處；21-熔接點；22-切口。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。