[實用新型]晶圓鍵合系統有效
| 申請號: | 201220275234.3 | 申請日: | 2012-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN202601579U | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發明(設計)人: | 王云翔;夏洋;李超波 | 申請(專利權)人: | 蘇州美圖半導體技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/603 | 分類號: | H01L21/603 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓鍵合 系統 | ||
1.一種晶圓鍵合系統,其特征在于,所述晶圓鍵合系統包括:
鍵合腔,所述鍵合腔內為真空;
壓頭構件,所述壓頭構件位于所述鍵合腔內,所述壓頭構件包括相互平行的第一壓頭與第二壓頭;
柔性構件,所述柔性構件包括與所述鍵合腔隔離的氣體收容腔,所述氣體收容腔包括入氣端以及出氣端,所述第一壓頭僅固定于所述出氣端以密封所述出氣端;
充壓構件,所述充壓構件連接所述柔性構件的入氣端以調整所述氣體收容腔內壓強。
2.如權利要求1所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述柔性構件沿豎直方向延伸,所述第一壓頭沿水平方向延伸。
3.如權利要求1所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述柔性構件固定于所述鍵合腔側壁。
4.如權利要求3所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述鍵合腔側壁設置有第一通孔,所述柔性構件覆蓋所述第一通孔,所述第一通孔形成所述柔性構件入氣端。
5.如權利要求1所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述柔性構件具有彈性并具有形變極限位置。
6.如權利要求5所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述柔性構件包括波紋管。
7.如權利要求1所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述充壓構件包括充氣裝置以及排氣裝置,所述充氣裝置與排氣裝置分別對所述氣體收容腔進行充氣與排氣以調控氣體收容腔內壓強。
8.如權利要求1所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述晶圓鍵合系統包括連接所述第二壓頭的傳動構件,所述傳動構件帶動所述第二壓頭朝向或遠離所述第一壓頭移動。
9.如權利要求8所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述鍵合腔側壁包括第二通孔,所述第二壓頭下方延伸出隔離構件,所述隔離構件覆蓋所述第二通孔,所述隔離構件包括與所述鍵合腔隔離的外接空腔,所述外接空腔與所述第二通孔貫通,所述傳動構件穿置于所述外接空腔與所述第二通孔。
10.如權利要求9所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述隔離構件沿豎直方向延伸。
11.如權利要求9所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述隔離構件具有彈性并具有形變極限位置。
12.如權利要求11所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述隔離構件包括波紋管。
13.如權利要求1至12中任一項所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述第一壓頭與第二壓頭均包括壓板層、及加熱層、及隔熱層、及散熱層、及法蘭層。
14.如權利要求13所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述晶圓鍵合系統包括連接所述第一壓頭以及第二壓頭中加熱層的加熱構件,所述加熱構件配合所述加熱層加熱位于所述第二壓頭上的晶圓。
15.如權利要求1至12中任一項所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述晶圓鍵合系統包括連接所述鍵合腔的溫度控制器,以顯示和控制所述鍵合腔內溫度。
16.如權利要求1至12中任一項所述的晶圓鍵合系統,其特征在于,所述晶圓鍵合系統包括連接所述壓板層的高壓構件,所述高壓構件對所述壓板層供電。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





