[實用新型]多晶廣角發光二極管

有效

• 申請號: 201220271918.6
• 申請日: 2012-06-11
• 公開（公告）號: CN202796936U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 謝佳翰;黃志騰;陳春芳
• 申請（專利權）人: 琉明斯光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/58
• 代理公司: 天津三元專利商標代理有限責任公司 12203
• 代理人: 高鳳榮

1.一種多晶廣角發光二極管，包括：

一基板，具備導熱部及設于導熱部側邊的正、負電極；

一反射杯體，形成于該基板上；

至少二顆發光芯片，設在該導熱部而位于該反射杯體內部；

一封膠層，設置于該反射杯體內部而將該發光芯片予以包覆；以及

一透鏡，設置于該反射杯體與該封膠層的頂緣，且其中間頂面形成凹入部；

其特征在于：

該凹入部的斷面呈V形溝，且沿著該V形溝輪廓下方小于80度的透鏡夾角(θ)的區域內，至少在對應于該發光芯片的位置，設有使該發光芯片所發出的光線折射的微結構。

2.根據權利要求1所述的多晶廣角發光二極管，其特征在于，所述夾角(θ)定義為以該基板及透鏡的中心向上發散所形成的尖圓錐形范圍。

3.根據權利要求2所述的多晶廣角發光二極管，其特征在于，所述微結構設在該V形溝表面上，且其包括設在該V形溝的一部分表面或全部表面。

4.根據權利要求3所述的多晶廣角發光二極管，其特征在于，所述微結構的形狀及分布區域，是依該發光芯片的數量及位置所設制而成。

5.根據權利要求4所述的多晶廣角發光二極管，其特征在于，所述微結構包括：粗糙面、波浪狀及鋸齒狀其中任一種。

6.根據權利要求2所述的多晶廣角發光二極管，其特征在于，所述微結構設在該V形溝與該夾角(θ)之間所涵括的透鏡區域(Z)。

7.根據權利要求1所述的多晶廣角發光二極管，其特征在于，所述反射杯體的杯深為0.20～0.5mm。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的多晶廣角發光二極管，其特征在于，所述透鏡為對稱的圓形體，其最外緣的半徑(R1)為最高點的半徑(R2)的1.1～2.5倍，且該透鏡最高點的高度(H1)為該V形溝最凹點的高度(H2)的4.5～9.5倍。