[實用新型]提高硅錠少子壽命的坩堝有效
| 申請號: | 201220263420.5 | 申請日: | 2012-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN202744648U | 公開(公告)日: | 2013-02-20 |
| 發明(設計)人: | 潘歡歡;孫海知;黃東;李曉輝;宋江 | 申請(專利權)人: | 海潤光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C30B11/00 | 分類號: | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務所 32210 | 代理人: | 唐紉蘭;曾丹 |
| 地址: | 214407 江蘇省無錫市江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 少子 壽命 坩堝 | ||
1.一種提高硅錠少子壽命的坩堝,其特征在于:它包括坩堝本體(1),所述坩堝本體(1)內壁的底部鋪設有薄片(2),所述薄片(2)與坩堝本體(1)內壁的底部充分接觸,并鋪滿整個坩堝本體(1)的底部,所述薄片(2)的表面鋪設有籽晶(3),所述籽晶(3)鋪滿整個坩堝本體(1)的底部。
2.根據權利要求1所述的一種提高硅錠少子壽命的坩堝,其特征在于:所述薄片(2)不鍍膜或單面鍍膜或雙面鍍膜。
3.根據權利要求2所述的一種提高硅錠少子壽命的坩堝,其特征在于:所述薄片(2)表面的鍍膜為氧化鋁膜(2.1),則其厚度為1nm~1mm。
4.根據權利要求1所述的一種提高硅錠少子壽命的坩堝,其特征在于:所述薄片(2)的長度10~1000mm,寬度10~1000mm,厚度0.01~30mm。
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