[實(shí)用新型]一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220260686.4
• 申請(qǐng)日: 2012-06-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202977517U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛進(jìn)營(yíng);曹鳳凱;劉獻(xiàn)偉;張宇欣;趙明;楊旅云;王明輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海施科特光電材料有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/10
• 分類號(hào): H01L33/10
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽;曾人泉

1.一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，在襯底的一面包括金屬反射層、緩沖層、n型層、有源層、p型層、透明導(dǎo)電層、p電極和n電極，在所述p型層上形成透明導(dǎo)電層，在所述透明導(dǎo)電層上制作p電極，其特征在于，蝕刻外延結(jié)構(gòu)直至接近露出或者露出金屬反射層，在所述的金屬反射層上制作n電極；所述金屬反射層為厚250～1500nm、具有圖形空隙的結(jié)構(gòu)層；所述n電極與所述金屬反射層為直接連接或者虛接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬反射層的圖形空隙包括圓形、條形、正方形、長(zhǎng)方形或六邊形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n電極與所述金屬反射層的虛接為：所述n電極通過(guò)非常薄的緩沖層與所述的金屬反射層連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的襯底為藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵、硅材料的一種。