[實用新型]LDO保護電路

有效

• 申請號: 201220260455.3
• 申請日: 2012-06-04
• 公開（公告）號: CN202712830U
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 林前明
• 申請（專利權）人: 上海斐訊數據通信技術有限公司
• 主分類號: H02H9/00
• 分類號: H02H9/00
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 胡美強;王聰

技術領域

本實用新型涉及一種保護電路，特別是涉及一種用于保護LDO芯片的保護電路。

背景技術

隨著半導體工藝技術的提高以和便攜式電子產品的迅猛發展，電源IC（集成電路）有了長足的進展。電源IC產品主要包括線性穩壓器（LDO）、開關電源、AC/DC穩壓器（交流/直流穩壓器）以及功率因數校正（PFC）預穩器等。而其中線性穩壓器是最常用的電源管理芯片，由于線性穩壓器使用方便、體積小、性能良好和可靠性高等優點，所以在電源管理市場中占有很大比重。

所以目前廣泛的電源管理芯片中，LDO芯片使用最廣泛。LDO芯片的結構是一個微型的片上系統，其根據負載電阻的變化情況調節自身的內電阻，從而保證穩壓輸出端的電壓不變。通常LDO芯片是由具有極低的導通電阻、肖特基二極管、分壓電阻、過流保護、過溫保護、精密基準源、差分放大器、延遲器和POK（Power?OK，電源正常）MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）等專用晶體管電路構成，并集成于一個芯片上。

由于LDO芯片本身的特性，LDO芯片中存在寄生二極管，所述寄生二極管的產生與具體生產工藝有關，NMOS（N型場效應晶體管）要求襯底電平低于源極，PMOS（P型場效應晶體管）要求襯底高于源極，通常下情況下將襯底與源極在管子內部連接在一起，以N溝道增強型MOS管（場效應晶體管）為例，當柵源極間加上一個正向電壓，既當Vgs>0時，則在柵極和襯底之間的絕緣層中便產生一個垂直于半導體表面的由柵極指向襯底的電場，這個電場能排斥空穴而吸引電子,因而柵極區附近的P型襯底的空穴排斥，留下不能移動的受主離子（負離子），從而形成耗盡層，同時P型襯底中的少子電子被吸引到襯底表面，所以當Vgs越大，則吸引到P型襯底表面層的電子越多，當Vgs達到某一數值時，這些電子在柵極附近表面便形成一個N型薄層，并且與襯底中二個N+區相連通，因而在漏源極之間形成N型導電溝道，所以N型導電溝道與P型襯底形成一個PN結，即漏極和源極之間形成一個PN結，從而也就導致了漏源極之間產生一個寄生二極管。

所以當LDO芯片的輸出端電壓大于LDO芯片的輸入端電壓時，或者LDO芯片的輸入端短路時，電流就會通過寄生二極管從LDO芯片的輸出端回流至LDO芯片的輸入端，從而損傷LDO芯片中其他的器件，導致LDO芯片內的整個系統不能正常工作，嚴重時，甚至會引起火災發生。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是為了克服現有技術中LDO芯片中輸出端電流回流至輸入端導致的LDO芯片損毀的缺陷，提供一種LDO保護電路，通過對LDO的輸出端進行放電，從而抑制了LDO芯片中輸出端電流回流至輸入端的情況的出現。

本實用新型是通過下述技術方案來解決上述技術問題的：

本實用新型提供了一種LDO保護電路，其特點是所述LDO保護電路包括：一放電回路，用于對一LDO的輸出端放電；

其中當所述LDO的輸出端的電壓大于所述LDO的輸入端的電壓時，所述放電回路對所述LDO的輸出端放電。

較佳地，所述LDO的輸入端通過一去耦電容接地。所述去耦電容為現有技術中用于去除LDO輸入端的輸入電源中的毛刺和噪聲的常用手法，所以此處不再詳細地贅述。

優選地，所述放電回路包括一開關單元，所述開關單元串接于所述LDO的輸入端和輸出端之間，當所述LDO的輸出端的電壓大于所述LDO的輸入端的電壓時，所述開關單元在所述LDO的輸入端和輸出端之間構成導電回路。此時所述開關單元利用所述去耦電容來接地，從而將LDO輸出端多余的電能釋放至地。

較佳地，所述開關單元為一二極管，所述LDO的輸出端與所述二極管的陽極電連接，所述LDO的輸入端與所述二極管的陰極電連接。利用二極管的開關特性，當LDO輸出端的電壓大于LDO輸入端的電壓時，所述二極管導通，而當LDO輸出端的電壓小于LDO輸入端的電壓時，所述二極管斷開，所以實現釋放了LDO輸出端相對于LDO輸入端多余的電能。

較佳地，所述去耦電容為電解電容。采用電解電容時，所以去耦電容可以在PCB板（印刷電路板）上設置的離LDO遠一些。

較佳地，所述LDO的輸出端通過一濾波電容接地。所述濾波電容為現有技術中用于去除LDO輸出端的電壓波紋的常用手法，所以此處不再詳細地贅述。

較佳地，所述濾波電容為電解電容。同理此時濾波電容也可以在PCB板上設置的離LDO遠一些。

本實用新型的積極進步效果在于：