[實用新型]圖像傳感器有效
| 申請號： | 201220258198.X | 申請日： | 2012-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN202678315U | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發明（設計）人： | 趙立新;李文強;蔣珂瑋 | 申請（專利權）人： | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 鄭立柱 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括像素陣列，所述像素陣列中的一個或多個像素單元包括一個源跟隨晶體管，所述源跟隨晶體管是結型場效應晶體管，其包括：
第一導電類型襯底；
第二導電類型阱，位于所述第一導電類型襯底中；
第二導電類型淀積摻雜層，位于所述第一導電類型襯底表面外并至少部分位于所述第二導電類型阱上；
第一導電類型源區，位于所述第二導電類型阱中；
第一導電類型漏區，位于所述第一導電類型襯底中和/或位于所述第二導電類型阱中；
第一導電類型摻雜層，至少部分位于所述第二導電類型阱與所述第二導電類型淀積摻雜層之間，以使得所述第一導電類型源區與所述第一導電類型漏區電連接，并在其與所述第二導電類型阱之間以及其與所述第二導電類型淀積摻雜層之間分別形成PN結。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第二導電類型淀積摻雜層包括摻雜的多晶硅層或非晶硅層。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第二導電類型阱與所述第二導電類型淀積摻雜層在所述第一導電類型摻雜層外至少部分相互重疊，以使得所述第二導電類型阱與所述第二導電類型淀積摻雜層相互電連接。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一導電類型漏區和/或所述第一導電類型摻雜層至少部分位于所述第二導電類型阱外，以使得所述第一導電類型漏區與第一導電類型襯底電連接。
5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第二導電類型淀積摻雜層的邊緣位于第一導電類型襯底表面的介電層上或者位于第一導電類型襯底中的隔離溝槽上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于格科微電子(上海)有限公司，未經格科微電子(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220258198.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種活套起套輥標高檢查的專用工具
- 下一篇：一種新型土壤修復釜
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
