[實用新型]在常溫下快速測試集成電路的過溫測試保護(hù)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220254482.X
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN202631693U
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 譚在超;朱勤為
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫硅動力微電子股份有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種在常溫下快速測試集成電路的過溫測試保護(hù)電路，包括三極管（109），所述三極管（109）的發(fā)射極端接地（113），三極管（109）的基極端與發(fā)射極端間通過具有正溫度系數(shù)的電阻（108）相連；三極管（109）的基極端、集電極端分別通過第二電流源（103）、第一電流源（102）與供電電壓源（101）相連，三極管（109）的集電極端能輸出狀態(tài)信號（110）；第二電流源（103）輸出的第一電流通過電阻（108）在三極管（109）的基極端得到第一電壓，所述第一電壓在預(yù)設(shè)過溫保護(hù)溫度值時能使得三極管（109）導(dǎo)通，以使得狀態(tài)信號（110）為低電平；其特征是：

所述三極管（109）的基極端還與用于接收外部測試控制信號（112）及接收開關(guān)電源集成電路的過溫測試信號（111）的過溫測試電流輸入調(diào)節(jié)電路相連，所述過溫測試電流輸入調(diào)節(jié)電路與供電電壓源（101）相連；

過溫測試電流輸入調(diào)節(jié)電路能調(diào)節(jié)供電電壓源（101）向三極管（109）的基極端輸入所需的第二電流，第一電流及第二電流通過電阻（108）在三極管（109）的基極端得到第二電壓；

當(dāng)過溫測試電流輸入調(diào)節(jié)電路僅接收過溫測試信號（111）時，第二電壓在常溫下低于三極管（109）的導(dǎo)通電壓，狀態(tài)信號（110）為高電平；

當(dāng)過溫測試電流輸入調(diào)節(jié)電路同時接收過溫測試信號（111）與外部測試控制信號（112）時，第二電壓在常溫下使得三極管（109）導(dǎo)通，狀態(tài)信號（110）為低電平。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述在常溫下快速測試集成電路的過溫測試保護(hù)電路，其特征是：所述過溫測試電流輸入調(diào)節(jié)電路包括第一MOS開關(guān)管（106）及第二MOS開關(guān)管（107）；第一MOS開關(guān)管（106）的柵極端與外部測試控制信號（112）相連，第一MOS開關(guān)管（106）的漏極端通過第四電流源（105）與供電電壓源（101）相連，第二MOS開關(guān)管（107）的柵極端與過溫測試信號（111）相連，第二MOS開關(guān)管（107）的源極端與三極管（109）的基極端相連，第二MOS開關(guān)管（107）的漏極端與第一MOS開關(guān)管（106）的源極端相連，并通過第三電流源（104）與供電電壓源（101）相連。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述在常溫下快速測試集成電路的過溫測試保護(hù)電路，其特征是：所述第一電流源（102）、第二電流源（103）、第三電流源（104）及第四電流源（105）均為鏡像電流源。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述在常溫下快速測試集成電路的過溫測試保護(hù)電路，其特征是：所述第一MOS開關(guān)管（106）及第二MOS開關(guān)管（107）均為NMOS管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述在常溫下快速測試集成電路的過溫測試保護(hù)電路，其特征是：所述狀態(tài)信號（110）通過與門電路（117）與第三MOS開關(guān)管（115）的柵極端相連，與門電路（117）的輸入端還與PWM信號發(fā)生電路（114）的相連；第三MOS開關(guān)管（115）的源極端接地。