[實用新型]1064nm半導體激光器有效
| 申請號： | 201220247337.9 | 申請日： | 2012-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN202568451U | 公開（公告）日： | 2012-12-05 |
| 發明（設計）人： | 勵娟青 | 申請（專利權）人： | 勵娟青 |
| 主分類號： | A61B18/28 | 分類號： | A61B18/28 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315700*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 1064 nm 半導體激光器 | ||
1.一種1064nm半導體激光器，其特征在于包括：
由激光電源(1)、電流反饋電阻(2)、半導體激光器(3)、半導體制冷器(4)、散熱器(5)和側向發射光纖(6)組成，其特征在于：
所述半導體激光器波長為1064nm，激光電源(1)通過電流反饋電阻(2)與半導體激光器(3)相連，構成反饋回路，半導體激光器(3)的輸出端與側向發射光纖(6)連接；
所述半導體激光器(3)的電流達到激光器閾值時，激光二極管發射的激光能量為1064nm，最高功率達150w；
所述半導體激光器(3)內部由激光二極管、準直系統和耦合聚焦系統組成；
所述半導體制冷器(4)貼放在半導體激光器(3)和散熱器(5)之間。
2.根據權利要求1所述的1064nm半導體激光器，其特征在于：所述半導體激光器(3)還帶有溫度探頭、紅光瞄準光發射裝置以及光纖連鎖報警裝置。
3.根據權利要求1所述的1064nm半導體激光器，其特征在于：所述半導體激光器(3)的數值孔徑為0.22NA。
4.根據權利要求1所述的1064nm半導體激光器，其特征在于：所述側向發射光纖(6)的芯徑為600～800μm。
5.根據權利要求1-4中任一項權利要求所述的1064nm半導體激光器，其特征在于：所述激光二極管的溫度控制在20～35℃之間，設置有4塊半導體制冷器(4)。
6.根據權利要求5所述的1064nm半導體激光器，其特征在于：所述半導體制冷器(4)與散熱器(5)連接。
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