[實(shí)用新型]雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220246752.2
• 申請(qǐng)日: 2012-05-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202772419U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張普;王警衛(wèi);梁雪杰;宗恒軍;劉興勝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安炬光科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01S5/024
• 分類(lèi)號(hào): H01S5/024;H01S5/34
• 代理公司: 西安智邦專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 陳廣民

1.雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括分別位于多量子阱芯片上方的上液體制冷器和下方的下液體制冷器、以及與多量子阱芯片處于同一層面用于隔離上、下液體制冷器的絕緣片；多量子阱芯片的負(fù)極面和/或正極面通過(guò)應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層與上液體制冷器和/或下液體制冷器連接；應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層的厚度使得多量子阱芯片位置處的總厚度與絕緣片位置處的總厚度相等。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于：所述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層僅為負(fù)極連接塊；多量子阱芯片的負(fù)極面通過(guò)負(fù)極連接塊與上液體制冷器的下端面焊接；

或者所述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層還包括一個(gè)彎折的電連接片，該電連接片彎折形成有兩端平行的高、低兩段，其中電連接片的高段貼合焊接在絕緣片的上端面與上液體制冷器的下端面之間，電連接片的低段貼合焊接在多量子阱芯片的負(fù)極面與所述負(fù)極連接塊的下端面之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于：所述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層僅為正極連接塊，多量子阱芯片的正極面通過(guò)正極連接塊與下液體制冷器的上端面焊接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于：所述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層包括負(fù)極連接塊和正極連接塊，多量子阱芯片的負(fù)極面和正極面分別通過(guò)負(fù)極連接塊和正極連接塊與上液體制冷器和下液體制冷器焊接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于：在豎直方向上自上液體制冷器、絕緣片至下液體制冷器，內(nèi)部貫穿設(shè)置有固定螺栓。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于：上液體制冷器的下端面與下液體制冷器的上端面之間設(shè)置有內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔，上液體制冷器與下液體制冷器通過(guò)所述內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔構(gòu)成整體的液冷通道。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特?征在于：應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層采用銅鎢合金或者銅金剛石復(fù)合材料；焊料均采用軟焊料。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于：上液體制冷器和/或下液體制冷器與相應(yīng)的電連接塊為一體件。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于：在內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔處設(shè)置有橡膠密封圈。?