[實用新型]柵線多段焊接式太陽能電池片結構有效
| 申請號: | 201220245697.5 | 申請日: | 2012-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN202678324U | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發明(設計)人: | 錢騰達;顧錫淼 | 申請(專利權)人: | 嘉興優太太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭國中 |
| 地址: | 314050 浙江省嘉興市南湖區*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柵線多段 焊接 太陽能電池 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池,具體地,涉及柵線多段焊接式太陽能電池片結構。
背景技術
光伏板組件是一種暴露在陽光下便會產生直流電的發電裝置,基本上主要以半導體物料(例如硅)制成的固體光伏電池組成,包括P型半導體和N型半導體。P型半導體(P指positive,帶正電的):由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的三價元素組成,會在半導體內部形成帶正電的空穴;N型半導體(N指negative,帶負電的):由單晶硅通過特殊工藝摻入少量的五價元素組成,會在半導體內部形成帶負電的自由電子。
在P型半導體中有許多帶正電荷的空穴和帶負電荷的電離雜質。在電場的作用下,空穴是可以移動的,而電離雜質(離子)是固定不動的。N型半導體中有許多可動的負電子和固定的正離子。當P型和N型半導體接觸時,在界面附近空穴從P型半導體向N型半導體擴散,電子從N型半導體向P型半導體擴散??昭ê碗娮酉嘤龆鴱秃?,載流子消失。因此在界面附近的結區中有一段距離缺少載流子,卻有分布在空間的帶電的固定離子,稱為空間電荷區。P型半導體一邊的空間電荷是負離子,N型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在界面附近產生電場,這電場阻止載流子進一步擴散,達到平衡。
當光的頻率超過某一極限頻率時,受光照射的太陽能電池板表面立即就會逸出光電子,發生光電效應。當在太陽能電池板外面加一個閉合電路,加上正向電源,這些逸出的光電子全部到達陽極便形成光電流。
現有技術中的電極圖案中的主柵線為一連續的直線段,其銀漿料的用量較大,且遮光面積較大。
實用新型內容
針對現有技術中的缺陷,本實用新型的目的是提供一種柵線多段焊接式太陽能電池片結構。
根據本實用新型的一個方面,提供一種柵線多段焊接式太陽能電池片結構,包括硅片、以及設置在所述硅片上的副柵線,還包括主柵線,其中,所述主柵線包括多個位于同一直線上的主柵線段,相鄰的所述主柵線段之間存在間隙,所述主柵線段的兩端呈圓角結構,所述副柵線連接所述主柵線段。
優選地,連接在所述主柵線段的兩端處的所述副柵線呈放射狀延伸。
優選地,所述主柵線段的長度相同。
優選地,位于同一直線上的主柵線段之間等距分布。
優選地,還包括輔助柵線,其中,位于同一直線上的相鄰主柵線段之間通過輔助柵線連接。
本實用新型的主柵線包括多個位于同一直線上的主柵線段,相鄰主柵線段之間的間隙使得主柵線的銀漿用量減小,從而降低了電池片的成本,進一步地,由于間隙的存在,使得柵線的遮光面積減小,有利于提高光電轉換效率。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述,本實用新型的其它特征、目的和優點將會變得更明顯:
圖1示出根據本實用新型的柵線多段焊接式太陽能電池片結構的結構示意圖;
圖2示出根據本實用新型的柵線多段焊接式太陽能電池片結構中的主柵線段一端的結構示意圖。
具體實施方式
圖1示出根據本實用新型的柵線多段焊接式太陽能電池片結構的結構示意圖,具體地,根據本實用新型提供的柵線多段焊接式太陽能電池片結構,包括硅片1、以及設置在所述硅片1上的副柵線4,還包括主柵線,其中,所述主柵線包括多個位于同一直線上的主柵線段2,相鄰的所述主柵線段之間存在間隙,所述主柵線段的兩端呈圓角結構,所述副柵線連接所述主柵線段。
更為具體地,如圖1所示,所述硅片1上設置有兩個主柵線,每個主柵線均由3段所述主柵線段2構成。連接在所述主柵線段的兩端處的所述副柵線呈放射狀延伸,如圖2所示。優選地,所述主柵線段的長度相同。位于同一直線上的主柵線段之間等距分布。進一步優選地,本實用新型提供的柵線多段焊接式太陽能電池片結構還包括輔助柵線3,其中,位于同一直線上的相鄰主柵線段之間通過輔助柵線3連接。
本實用新型的主柵線包括多個位于同一直線上的主柵線段,相鄰主柵線段之間的間隙使得主柵線的銀漿用量減小,從而降低了電池片的成本,進一步地,由于間隙的存在,使得柵線的遮光面積減小,有利于提高光電轉換效率。
以上對本實用新型的具體實施例進行了描述。需要理解的是,本實用新型并不局限于上述特定實施方式,本領域技術人員可以在權利要求的范圍內做出各種變形或修改,這并不影響本實用新型的實質內容。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





