[實用新型]一種橫向晶體管

有效

• 申請號: 201220245289.X
• 申請日: 2012-05-29
• 公開（公告）號: CN202695453U
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 唐納德·迪斯尼
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種橫向晶體管，包括：

外延層，形成于襯底上；

源區和漏區；

柵區氧化物和厚柵區氧化物，形成于源區和漏區之間的外延層上，其特征在于，所述厚柵區氧化物厚于所述柵區氧化物；

柵區，形成于所述柵區氧化物上；

場板，形成于所述厚柵區氧化物而非所述柵區氧化物上；

層間電介質，具有第一通孔至所述源區，第二通孔至所述場板；以及

源電極，通過穿過所述層間電介質的所述第一和第二通孔電連接至所述源區和所述場板。

2.如權利要求1所述晶體管，進一步包括：

體區，環繞所述源區并位于所述柵區下；漂移區，環繞所述漏區并位于所述場板和部分所述柵區下。

3.如權利要求2所述晶體管，其特征在于，所述體區被所述漂移區環繞。

4.如權利要求2所述晶體管，其特征在于，側墻隔板將所述漏區和所述場板橫向隔開。

5.如權利要求1所述晶體管，其特征在于，所述襯底和所述體區摻雜P型摻雜物，所述源區、所述漂移區以及所述漏區摻雜N型摻雜物。

6.如權利要求1所述晶體管，其特征在于，所述晶體管包括橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管。

7.如權利要求6所述晶體管，其特征在于，所述柵區和所述場板被一個長度小于0.25um的溝隙隔開，所述溝隙被填充電介質材料。

8.如權利要求1所述晶體管，進一步包括：

第一側墻隔板和第二側墻隔板，分別形成在所述柵區的兩邊側墻上；以及

第三側墻隔板和第四側墻隔板，分別形成在所述場板的兩邊側墻上。

9.如權利要求1所述晶體管，其特征在于，所述柵區形成在所述柵區氧化物和部分所述厚柵區氧化物上。

10.一種橫向晶體管，包括：

P型半導體層；

柵區，形成在柵區氧化物上；

場板，形成在厚柵區氧化物而非柵區氧化物上，其特征在于所述厚柵區氧化物厚于所述柵區氧化物，所述場板和所述柵區被溝隙隔開；以及

形成在P型體區里的N+源區和形成在漂移區里的N+漏區。

11.如權利要求10所述晶體管，進一步包括源電極，通過層間電介質上的通孔電連接所述N+源區和所述場板。

12.如權利要求10所述晶體管，其特征在于，所述場板和所述N+源區通過形成在所述N+源區上的硅化層電連接。

13.如權利要求10所述晶體管，其特征在于，所述N+源區和所述場板電連接。