[實用新型]具有阻止功率MOSFET反向電流功能的電路有效
| 申請號： | 201220242419.4 | 申請日： | 2012-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN202602282U | 公開（公告）日： | 2012-12-12 |
| 發明（設計）人： | 李林真 | 申請（專利權）人： | 成都芯源系統有限公司 |
| 主分類號： | H02H11/00 | 分類號： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市高新西區*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 阻止 功率 mosfet 反向 電流 功能 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種電路，其特征在于，所述電路包括N型功率MOSFET管，肖特基二極管，電流源，其中，所述N型功率MOSFET管的源極和所述肖特基二極管的陰極相連；所述N型功率MOSFET管的襯底和所述肖特基二極管的陽極相連；所述電流源一端接收電流源供電輸入，另一端與所述肖特基二極管的陽極相連。
2.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述N型功率MOSFET管的漏極接收輸入電壓；所述N型MOSFET管的源極接收輸出電壓。
3.一種電路，其特征在于，所述電路包括P型功率MOSFET管，肖特基二極管，電流源，其中，所述P型功率MOSFET管的源極和所述肖特基二極管的陽極相連；所述P型功率MOSFET管的襯底和所述肖特基二極管的陰極相連；所述電流源一端接收電流源供電輸入，另一端與所述肖特基二極管的陽極相連。
4.如權利要求1所述的電路，其特征在于，所述P型MOSFET管的源極接收輸入電壓；所述P型MOSFET管的漏極接收輸出電壓。
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