[實用新型]一種半透半反液晶顯示面板及半透半反液晶顯示器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220240972.4 | 申請日: | 2012-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN202794772U | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉堯虎 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1335 | 分類號: | G02F1/1335;G02F1/133;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半透半反 液晶顯示 面板 液晶顯示器 | ||
1.一種半透半反液晶顯示面板,包括對盒成型的TFT陣列基板和彩膜基板,所述TFT陣列基板和所述彩膜基板之間填充有液晶,所述彩膜基板包括公共電極層和彩膜層,所述TFT陣列基板包括由橫縱交叉的柵線、數(shù)據(jù)線形成的像素單元,其特征在于,?
每個像素單元的像素電極包括透射區(qū)像素電極和反射區(qū)像素電極;?
每個像素單元的TFT包括第一TFT和第二TFT;?
其中,所述第一TFT的柵極與柵線連接,所述第一TFT的源極與數(shù)據(jù)線連接,所述第一TFT的漏極與所述透射區(qū)像素電極連接;所述第二TFT的柵極與所述柵線連接,所述第二TFT的源極與所述第一TFT的漏極連接,所述第二TFT的漏極與所述反射區(qū)像素電極連接。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述第一TFT和所述第二TFT的溝道的長寬比相同或不同。?
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板,其特征在于,?
在所述彩膜基板上,所述公共電極層和所述彩膜層之間形成有第一有機層,且所述第一有機層對應(yīng)所述透射區(qū)像素電極的厚度與對應(yīng)所述反射區(qū)像素電極的厚度不同;?
形成在所述第一有機層上的所述公共電極層到所述透射區(qū)像素電極的距離與到所述反射區(qū)像素電極的距離不同。?
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示面板,其特征在于,在所述彩膜基板上,對應(yīng)所述透射區(qū)像素電極的公共電極層或?qū)?yīng)所述反射區(qū)像素電極的公共電極層上形成有第二有機層;?
所述第二有基層使得所述彩膜基板和所述陣列基板在所述透射區(qū)和所述反射區(qū)的距離相等。?
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述第一有機層對應(yīng)所述透射區(qū)像素電極的厚度厚于對應(yīng)所述反射區(qū)像素電極的厚度;所述第二有機層形成于所述反射區(qū)像素電極對應(yīng)的所述公共電極層上;?
形成在所述第一有機層上的所述公共電極層到所述透射區(qū)像素電極的距離小于到所述反射區(qū)像素電極的距離;所述第二有機層到所述反射區(qū)像素電極的距離等于所述透射區(qū)像素電極對應(yīng)的公共電極層到所述透射區(qū)像素電極的距離。?
6.一種半透半反液晶顯示器,其特征在于,包括權(quán)利要求1~5?所述的半透半反液晶顯示面板。?
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





