[實用新型]一種N型背接觸雙面太陽能電池的背面電極結構有效
| 申請號: | 201220240742.8 | 申請日: | 2012-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN202712196U | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發明(設計)人: | 楊智;王栩生;章靈軍 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯(中國)投資有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒;陸金星 |
| 地址: | 215129 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 接觸 雙面 太陽能電池 背面 電極 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種N型背接觸雙面太陽能電池的背面電極結構,屬于太陽能應用技術領域。
背景技術
常規的化石燃料日益消耗殆盡,在所有的可持續能源中,太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前,在所有的太陽能電池中,硅太陽能電池是得到大范圍商業推廣的太陽能電池之一,這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲量,同時硅太陽能電池相比其他類型的太陽能電池,有著優異的電學性能和機械性能,硅太陽能電池在光伏領域占據著重要的地位。因此,研發高性價比的硅太陽能電池已經成為各國光伏企業的主要研究方向。
現有的硅太陽能電池采用的硅片基底主要包括P型和N型兩種硅片。和以P型硅片為基底制造的太陽能電池相比,由于N型硅片中沒有B-O復合對,以N型硅片為基底制造的太陽能電池沒有明顯的光衰減現象;并且N型硅片的少子壽命高于P型硅片,因此N型硅太陽能電池得到了越來越多的關注。
目前,以P型晶體硅為基底制作的MWT(Metal?Wrap?Through)太陽能電池可以比常規的P型晶體硅工業化電池有0.3%以上的效率絕對值提升。現有的P型晶體硅MWT太陽能電池的背面電極結構通常是整面的鋁背場,但這種背面電極結構并不適用于雙面受光結構的N型晶體硅MWT太陽能電池。因此,為了實現具有雙面受光功能的N型晶體硅MWT太陽能電池,需要設計相適應的背電極結構。
發明內容
本實用新型目的是提供一種N型背接觸雙面太陽能電池的背面電極結構。
為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種N型背接觸雙面太陽能電池的背面電極結構,包括設于N型硅片背面的N電極和P電極;
所述N電極由至少2根平行的主柵線和至少40根平行的副柵線組成;所述主柵線與副柵線垂直相交;
所述P電極包括至少2個連接電極;各個連接電極處設有通孔,通孔內設有金屬化漿料,其一端與硅片的正面電極結構連接,另一端構成所述連接電極;
所述N電極的主柵線和副柵線與P電極的連接電極之間相互絕緣。
上文中,優選的,所述P電極的連接電極有4排,每排4個連接電極;所述N、P電極交錯分布于N型晶體硅太陽能電池的背面。
所述P電極的連接電極可以通過該連接電極處的孔內銀漿與正面電極結構連接,通孔可由激光開孔的方法制作。上述N、P電極均可由絲網印刷的方法制備。
上述技術方案中,所述連接電極為圓形或矩形;連接電極的外圍設有環形的絕緣區域,使所述N電極的主柵線和副柵線與P電極的連接電極之間相互絕緣。所述連接電極也可以采用現有的其他形狀,優選為圓形或矩形。所述連接電極的外圍設有環形的絕緣區域,也可以采用其他形狀的絕緣區域。
上述技術方案中,所述N電極的主柵線為2~5根;所述副柵線為40~160根。
上述技術方案中,所述P電極的連接電極均布于硅片背面。
上述技術方案中,所述N電極的主柵線均布于硅片的背面。當然,所述主柵線也可以不采用均勻分布的結構。
由于上述技術方案運用,本實用新型與現有技術相比具有的優點是:
1、本實用新型設計了一種適用于N型背接觸雙面太陽能電池的背面電極結構,其結構合理,工藝易于實現,成本較低,且具有良好的可操作性、實用性,適于推廣應用。
2、本實用新型將N型晶體硅太陽能電池的正面P電極引到背面,與背面N電極一起構成背面電極結構,從而減少了N型晶體硅太陽能電池正面的遮光率,增加了電池對正面入射光的吸收和光電轉換效率。
3、本實用新型在實現以N型晶體硅為基底的MWT太陽能電池的基礎上,仍然維持了電池的雙面受光特性。
附圖說明
附圖1為本實用新型實施例一的結構示意圖;
附圖2為本實用新型實施例二的結構示意圖;
附圖3為本實用新型實施例三的結構示意圖。
其中:1、主柵線;2、副柵線;3、連接電極;4、絕緣區域。
具體實施方式
下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
實施例一
參見圖1所示,一種N型背接觸雙面太陽能電池的背面電極結構,包括設于N型硅片背面的N電極和P電極;
所述N電極呈線陣排列,由3根平行的主柵線1和80根平行的副柵線2組成;所述主柵線與副柵線垂直相交;所述3根主柵線1均布于硅片背面;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





