[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體晶粒

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220238260.9
• 申請(qǐng)日: 2012-05-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202651207U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉寶成
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 河南恒昌電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L35/16
• 分類(lèi)號(hào): H01L35/16;H01L35/26
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體晶粒，具體地說(shuō)是涉及一種致冷件上的晶粒。

背景技術(shù)

致冷件是利用晶粒通電而致冷致熱的，晶粒的主要成分是三碲化鉍，使用時(shí)晶粒粘接在瓷板上，現(xiàn)有技術(shù)中，使用的晶粒沒(méi)有外層結(jié)構(gòu)，這樣的晶粒致冷致熱效率達(dá)到85％，還有待于進(jìn)一步的提高。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)上述缺點(diǎn)，提供一種使致冷件轉(zhuǎn)化率更高的半導(dǎo)體晶粒。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種半導(dǎo)體晶粒，包括晶粒本體，晶粒本體是三碲化二鉍，其特征是：所述的晶粒本體外邊還有碲化銣層。

進(jìn)一步的講，所述的碲化銣層的厚度是0.1～0.01毫米。

本實(shí)用新型的有益效果是：這樣的晶粒安裝在致冷件上電能的轉(zhuǎn)化效率高達(dá)87％，進(jìn)一步的提高了使用效率。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1、晶粒本體2、碲化銣層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。

如圖1所示，一種半導(dǎo)體晶粒，包括晶粒本體1，晶粒本體1是三碲化二鉍，其特征是：所述的晶粒本體1外邊還有碲化銣層2。

進(jìn)一步的講，所述的碲化銣層2的厚度是0.1～0.01毫米。