[實用新型]一種用于輸出單原子氫離子束的場發射離子源有效
| 申請號： | 201220234111.5 | 申請日： | 2012-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN202721105U | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 鄒宇;展長勇;伍建春 | 申請（專利權）人： | 四川大學 |
| 主分類號： | H01J27/02 | 分類號： | H01J27/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610064 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 輸出 原子 氫離子 發射 離子源 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于輸出單原子氫離子束的場發射離子源，包括場發射陣列（1），其特征在于，還包括一泡沫金屬活性薄板（3）和加速極（4），所述泡沫金屬活性薄板（3）通過一絕緣材料（2）隔離后，放置于場發射陣列（1）之上，其表面與場發射陣列表面平行，所述加速極（4）置于泡沫金屬活性薄板之上。
2.根據權利要求1所述的用于輸出單原子氫離子束的場發射離子源，其特征在于，所述場發射陣列（1）可以是碳納米管場發射陣列、金屬尖錐場發射陣列或硅尖錐場發射陣列。
3.根據權利要求1所述的用于輸出單原子氫離子束的場發射離子源，其特征在于，所述泡沫金屬活性薄板（3）的材料是Fe、Co、Ni或Ti。
4.根據權利要求1所述的用于輸出單原子氫離子束的場發射離子源，其特征在于，所述泡沫金屬活性薄板（3）的厚度≤10?mm、平均孔徑≥0.23?mm、比表面積≥250?m2/m3。
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