[實用新型]具有MEMS器件的裝置

有效

• 申請號: 201220233459.2
• 申請日: 2012-05-23
• 公開（公告）號: CN202705026U
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: G.亨
• 申請（專利權）人: 埃普科斯股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 杜荔南;劉春元

1.具有至少一個MEMS器件的裝置，

－?包括至少包圍MEMS器件并且相對于周圍環境密封的封裝，

－?其中所述封裝作為密封體包括由借助于功能組聚合的全氟聚醚構成的PFPE層。

2.根據權利要求1的裝置，

其中所述PFPE層被結構化并且覆蓋所述裝置的一部分。

3.根據權利要求1或2的裝置，

其中所述MEMS器件布置在載體上，

其中所述PFPE層大面積地覆蓋所述MEMS器件，至少部分地位于所述載體上并且相對于載體密封MEMS器件。

4.根據權利要求3的裝置，

其中所述PFPE層經結構化地施加在MEMS器件或者載體上并且為布置在所述PFPE層上的覆蓋體構造密封的中間隔層。

5.根據權利要求4的裝置，

其中所述覆蓋體包括陶瓷或者結晶材料的板或小板。

6.根據權利要求4或5的裝置，

其中所述MEMS器件或者所述載體與所述覆蓋體包括相同的結晶或者陶瓷材料。

7.根據權利要求1－6之一的裝置，

其中所述PFPE層被框形地結構化，并且要么位于MEMS器件的表面上并且包圍所述MEMS器件的器件結構，要么位于載體的表面上并且包圍至少所述MEMS器件，并且其中所述覆蓋體密封地位于框形結構化的PFPE層上，使得在覆蓋體、PFPE層與MEMS器件或載體的表面之間構造空腔。

8.根據權利要求1－7之一的裝置，

其中所述PFPE層被結構化并且至少包括第一和第二結構化的部分層，

其中所述第二結構化的部分層位于第一部分層上并且化學地與該第一部分層連接，

其中第一和第二PFPE部分層一起構造三維結構。

9.根據權利要求8的裝置，

其中所述三維結構構造罩的形式，在該罩中定義一側打開的凹槽，其中所述罩相對于MEMS器件或者載體的表面密封地放在所述MEMS器件上或者所述載體上，使得器件結構或者整個MEMS器件都布置在凹槽中并且相對于環境影響得到保護。

10.根據權利要求8或9的裝置，

其中所述三維結構在一側具有多個凹槽，在所述凹槽中分別布置器件或者MEMS器件的器件結構。

11.根據權利要求1－10之一的裝置，

其中所述PTFE層大面積地作為密封層施加在以倒裝芯片技術安裝在載體上的MEMS器件上。

12.根據權利要求1－11之一的裝置，

其中在載體上設置另外的器件并且借助于大面積的或者結構化的PTFE層對所述器件中的至少一個進行密封。

13.根據權利要求1－12之一的裝置，

其中所述PTFE層覆蓋MEMS器件或者該MEMS器件的器件結構，

其中直接在PTFE層上使用用于密封或屏蔽目的的另外的覆蓋層。

14.根據權利要求13的裝置，

其中所述另外的覆蓋層是金屬層或者由氣相沉積的介電層。

15.根據權利要求1－14之一的裝置，

其中所述MEMS器件是具有移動部分的微結構化的機電器件、傳感器或者用聲波工作的器件。

16.根據權利要求1－15之一的裝置，

其中所述MEMS器件是HF器件。

17.根據權利要求1－16之一的裝置，

其中PTFE層的功能組是交聯的甲基丙烯酸酯組。