[實用新型]等離子體耐蝕性構件

有效

• 申請號: 201220231244.7
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN202671657U
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 后藤義信
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: C23C30/00
• 分類號: C23C30/00;C23C4/10;C23C14/08;C23C16/40;H01L21/3065
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;劉強

技術領域

本實用新型涉及等離子體耐蝕性構件。

背景技術

以往，作為等離子體耐蝕性構件，已知以氮化鋁燒結體為母材，在該母材中的暴露于等離子體的表面上形成有氧化釔薄膜的構件（例如專利文獻1）。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2000－129388號公報

實用新型內容

實用新型要解決的課題

然而，在使用氮化硅燒結體、氮化鋁燒結體、氧化鋁燒結體或碳化硅燒結體的基材作為構成構件的情況下，升溫至700℃時，有時在氧化釔薄膜與構成構件的界面產生裂紋。

本實用新型是為了解決這樣的課題而作出的，主要目的在于防止在升溫至700℃后的薄膜與基材的界面產生裂紋。

解決課題的方案

本實用新型的等離子體耐蝕性構件為，

在氮化硅燒結體、氮化鋁燒結體、氧化鋁燒結體或碳化硅燒結體的基材的表面上形成有釔化合物或尖晶石的薄膜的等離子體耐蝕性構件，

在前述薄膜的表面上形成有為了支撐晶片而設置的多個凸部，

前述薄膜中的形成有前述凸部的部分的膜厚a2相對于未形成前述凸部的部分的膜厚a1的比率a2／a1滿足1＜a2／a1＜1.6。

實用新型的效果

根據本實用新型，可得到在升溫至700℃后的薄膜與基材的界面不產生裂紋這樣的效果。特別是在比率a2／a1滿足1.17≤a2／a1≤1.50的情況下，可以確實地得到該效果。

附圖說明

圖1是等離子體耐蝕性構件的部分剖面圖。

具體實施方式

本實用新型的等離子體耐蝕性構件是在氮化硅燒結體、氮化鋁燒結體、氧化鋁燒結體或碳化硅燒結體的基材的表面上形成有釔化合物或尖晶石的薄膜的構件，在薄膜的表面上形成有為了支撐晶片而設置的多個凸部，該薄膜中的形成有凸部的部分的膜厚a2相對于未形成凸部的部分的膜厚a1的比率a2／a1滿足1＜a2／a1＜1.6。

本實用新型的等離子體耐蝕性構件中，比率a2／a1更優選滿足1.17≤a2／a1≤1.50。

本實用新型的等離子體耐蝕性構件中，釔化合物優選為氧化釔、YAG、YAM或YAL。另外，YAG為Y₃Al₅O₁₂（3Y₂O₃·5Al₂O₃），是具有石榴石晶體結構的物質。YAL為YAlO₃（Y₂O₃·Al₂O₃），是具有鈣鈦礦晶體結構的物質。YAM為Y₄Al₂O₉（2Y₂O₃·Al₂O₃），是單斜晶系的物質。

本實用新型的等離子體耐蝕性構件中，薄膜優選為在基材的表面上通過噴鍍、離子鍍、蒸鍍、溶膠凝膠法或CVD形成的膜。

本實用新型的等離子體耐蝕性構件中，凸部優選為圓柱狀。

本實用新型的等離子體耐蝕性構件中，薄膜的平均厚度優選為5～100μm，優選為不足基材的厚度的1％。另外，在薄膜的角部形成有段差的情況下，其段差高的部分的膜厚相對于段差低的部分的膜厚的比率優選大于1小于1.6。

本實用新型的等離子體耐蝕性構件中，基材的厚度優選為3～20mm。

本實用新型中，要求耐蝕性的環境為鹵素氣體氣氛或鹵素等離子體氣體氣氛。

實施例

［實驗例1］

制作6種在氮化鋁燒結體的基材的表面上形成有氧化釔的薄膜的等離子體耐蝕性構件。制作步驟如下。

首先，制造直徑為350mm、平均厚度20mm的氮化鋁燒結體。具體而言，對于平均粒徑1μm、純度99.9％的氮化鋁粉末，添加平均粒徑1.5μm、純度99.9％的氧化釔粉末5重量％并混合，對混合粉末以100kgf／cm²進行單軸加壓成型。通過熱壓法將該成型體燒結，得到氮化鋁燒結體。

接著，在該氮化鋁燒結體的整面噴鍍純度99.9重量％的氧化釔。其結果，得到整面被氧化釔噴鍍膜包覆的氮化鋁燒結體。