[實用新型]晶體硅太陽能電池鍍膜設備

有效

• 申請號: 201220230390.8
• 申請日: 2012-05-22
• 公開（公告）號: CN202688433U
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 姜言森;張春艷;張麗麗;杜敏;孫繼峰;張黎明;劉鵬;李玉花;程亮;任現坤;賈河順;徐振華;李剛;王兆光;姚增輝;張同星
• 申請（專利權）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;H01L31/18
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

技術領域

本實用新型涉及一種太陽能電池的鍍膜設備，具體涉及晶體硅太陽能電池鍍膜設備。

背景技術

在各種硅太陽電池中，晶體硅電池一直占據著最重要的地位?近年來，在晶體硅太陽電池提高效率方面取得了巨大成就和進展，進一步提高了它在未來光伏應用中的優勢地位。背面鈍化技術是晶體硅太陽能電池提高效率的有效手段之一，通過背面鈍化，有效的提高了太陽電池的開路電壓和短路電流，從而提高了太陽電池的轉換效率。

目前背面鈍化主要是在背面鍍制鈍化膜，此鈍化膜可以選擇二氧化硅，三氧化二鋁，氮化硅，還可以選擇疊層鈍化膜，如二氧化硅與氮化硅疊層膜，三氧化二鋁與氮化硅疊層膜等。目前背面鈍化在提高效率的同時增加了背面鈍化設備，大大增加了晶硅電池的制作成本。?

發明內容

本實用新型的目的就是針對上述問題而提出的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設備，他可以同時完成太陽能電池正面減反射膜與背面鈍化膜的制備，大大降低了設備制作成本，簡化了工藝步驟，適用于產業化生產。

本實用新型的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設備，包括反應腔室和硅片載板，硅片載板位于反應腔室中部，另外還包括反應腔室上方的上進氣孔，下方的下進氣孔，反應腔室兩側的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布于反應腔室上下內表面的加熱裝置。

硅片載板為石墨板，石墨板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略小于硅片，鏤空上方承載硅片，用此載板可以對硅片上表面進行減反射膜制備，對硅片下表面進行鈍化膜制備。

硅片載板為石墨板，石墨板均勻鏤空，鏤空形狀與硅片形狀一致，鏤空大小略大于硅片，在硅片載板下邊緣設置掛鉤，硅片水平置于掛鉤上，用此載板可以對硅片下表面進行減反射膜制備，對硅片上表面進行鈍化膜制備。

上等離子源位于硅片載板上方，下等離子源位于硅片載板下方，上下等離子源均可單獨控制，可根據工藝情況分別調整其工藝參數。

上進氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方，上下進氣孔可單獨控制，可以通入不同的氣體及氣體流量。

排氣孔位于反應腔室側面，與硅片載板處于同一水平面，硅片載板上方和下方反應產生的氣體均從排氣孔排出，排氣孔外接真空泵，以保證反應腔室一定的真空度。?

該晶體硅太陽能電池鍍膜設備對硅片上表面鍍膜的反應流程為：鍍膜工藝進行時，加熱裝置將反應腔室溫度加熱至所需溫度，反應氣體通過上進氣孔進入反應腔室，上等離子源對反應氣體進行解離，解離狀態下氣體將發生反應，鍍制在硅片上表面，真空泵將反應廢氣通過排氣孔抽走，并保證反應腔室的真空度。

該晶體硅太陽能電池鍍膜設備對硅片下表面鍍膜的反應流程為：鍍膜工藝進行時，加熱裝置將腔體溫度加熱至所需溫度，反應氣體通過下進氣孔進入反應腔室，下等離子源對反應氣體進行解離，解離狀態下氣體將發生反應，鍍制在硅片下表面，真空泵將反應廢氣通過排氣孔抽走，并保證反應腔室的真空度。

本實用新型的一種晶體硅太陽能電池鍍膜設備有益效果是：該設備包括反應腔室和硅片載板，硅片載板位于反應腔室中部，另外還包括反應腔室上方的上進氣孔，下方的下進氣孔，反應腔室兩側的排氣孔，硅片載板上方的上等離子源及硅片載板下方的下等離子源，與排氣孔外接的真空泵和均勻分布于反應腔室上下內表面的加熱裝置。

硅片載板有兩種設計方式，都可以對硅片上表面進行減反射膜制備，對硅片下表面進行鈍化膜制備。

上進氣孔位于硅片載板以及上等離子源上方，下進氣孔位于硅片載板以及下等離子源下方，上、下進氣孔，上、下等離子源均可單獨控制，根據工藝情況分別調整其工藝參數，通入不同的氣體及氣體流量。

排氣孔位于反應腔室側面，與硅片載板處于同一水平面，硅片載板上方和下方反應產生的氣體均從排氣孔排出，排氣孔外接真空泵，以保證反應腔室一定的真空度。?

使用該晶體硅太陽能電池鍍膜設備可以同時對硅片進行減反射膜及鈍化膜的制備，降低設備成本，提高設備利用率，減少工藝步驟，降低生產過程中造成的碎片等不良，適合工業化生產。

附圖說明：

圖1所示為本實用新型實施例1的設備垂直剖面圖；

圖2所示為實施例1的硅片載板設計；

圖3所示為本實用新型實施例2的設備垂直剖面圖；

圖4所示為實施例2的硅片載板設計。