[實用新型]一種太陽能電池的鈍化結構有效
| 申請號： | 201220228566.6 | 申請日： | 2012-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN202585427U | 公開（公告）日： | 2012-12-05 |
| 發明（設計）人： | 侯利平;王栩生;章靈軍 | 申請（專利權）人： | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯（中國）投資有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215129 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 鈍化 結構 | ||
1.一種太陽能電池的鈍化結構，其特征在于，包括：
基板，所述基板包括用于搜集入射光的正面和與該正面相對的背面；
復合疊層鈍化薄膜，設置在所述基板的正面，該復合疊層鈍化薄膜包括氧化硅鈍化薄膜、氧化鋁鈍化薄膜和非晶氮化硅減反射膜；
疊層鈍化薄膜，設置在所述基板的背面，該疊層鈍化膜包括氧化硅鈍化薄膜和非晶氮化硅減反射膜。
2.如權利要求1所述的太陽能電池的鈍化結構，其特征在于：所述基板為N型硅襯底。
3.如權利要求2所述的太陽能電池的鈍化結構，其特征在于：所述N型硅襯底的正面包括由硼雜質擴散形成的P+層，該P+層與該N型硅襯底形成P+N結，所述復合疊層鈍化薄膜設置在所述P+層上。
4.如權利要求2所述的太陽能電池的鈍化結構，其特征在于：所述N型硅襯底的背面包括由磷雜質擴散形成的N+層，該N+層與該N型硅襯底形成NN+結，所述疊層鈍化薄膜設置在所述N+層上。
5.如權利要求1所述的太陽能電池的鈍化結構，其特征在于：所述復合疊層鈍化薄膜的氧化硅鈍化薄膜厚度為1-30nm。
6.如權利要求1所述的太陽能電池的鈍化結構，其特征在于：所述復合疊層鈍化薄膜的氧化鋁鈍化薄膜厚度為1-30nm。
7.如權利要求1所述的太陽能電池的鈍化結構，其特征在于：所述復合疊層鈍化薄膜的非晶氮化硅減反射膜厚度為20-80nm。
8.如權利要求1所述的太陽能電池的鈍化結構，其特征在于：所述疊層鈍化薄膜的氧化硅鈍化薄膜厚度為1-30nm。
9.如權利要求1所述的太陽能電池的鈍化結構，其特征在于：所述疊層鈍化薄膜的非晶氮化硅減反射膜厚度為40-80nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
