[實用新型]非接觸式對位設備有效
| 申請號: | 201220224167.2 | 申請日: | 2012-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN202585511U | 公開(公告)日: | 2012-12-05 |
| 發明(設計)人: | 郭業祥;楊順先;鄧小明;劉惠森 | 申請(專利權)人: | 東莞宏威數碼機械有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/20 | 分類號: | H01L31/20;H01L21/68 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 張艷美;郝傳鑫 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞市南城*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 對位 設備 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種對位設備,尤其涉及一種對非接觸的兩工件進行對位的對位設備。
背景技術
隨著人們對能源的需求量日益增大,太陽能電池作為新興的環保資源,其應用越來越廣泛,相應地,太陽能電池制造產業也引起廣闊的應用前景而不斷發展壯大。太陽電池可以使用玻璃、塑料、陶瓷、石墨,金屬片等不同材料當基板來制造,形成可產生電壓的薄膜厚度僅需數微米,目前,太陽能電池分為晶體硅太陽能電池和非晶硅太陽能電池。
基于晶體硅(單晶硅和多晶硅)的太陽能電池由于發展歷史較早且技術比較成熟,在裝機容量一直占據領先地位。盡管技術進步和市場擴大使其成本不斷下降,但由于材料和工藝的限制,晶體硅太陽能電池進一步降低成本的空間相當有限,因此第一代太陽能電池很難承擔太陽能光伏發電大比例進入人類能源結構并成為基礎能源的組成部分的歷史使命,而非晶硅太陽能電池益發得到世界各國的重視,技術日臻成熟,光電轉換效率和穩定性不斷提高,集成型非晶硅太陽能電池的激光切割的使用有效面積達90%以上,目前大面積大量生產的硅薄膜太陽能電池的光電轉換效率為5%-8%。
非晶硅太陽能電池一般采用等離子增強型化學氣相沉積(PECVD,PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)方法使高純硅烷等氣體分解沉積而成的。此種制作工藝,可以在生產中連續在多個真空沉積室完成,以實現大批量生產。由于沉積分解溫度低,且可在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上沉積薄膜,易于大面積化生產,成本較低。以在玻璃基板上制備的非晶硅基太陽能電池為例,其首先在玻璃(glass)襯底上沉積透明導電膜(TCO),然后依次用等離子體反應沉積p型、i型、n型三層a-Si,接著再蒸鍍金屬電極鋁(Al),非晶硅(a-Si)太陽電池是光從玻璃面入射,電池電流從透明導電膜和鋁引出,其結構可表示為glass/TCO/pin/Al。
在非晶硅太陽能電池板制備過程中,常需要先對其玻璃基板進行精確對位,之后才能進行相應的操作,傳統的做法是利用機械手將玻璃基板及其他物件進行裝夾,再利用機械手進行對位,或將玻璃基板直接貼合于需對位的物件上使兩者接觸以進行對位,上述方式中,對玻璃基板進行接觸式對位及進行裝夾,可能會對玻璃基板造成污染或損傷,從而影響非晶硅太陽能電池板的生產精度,另外,當需要對應的玻璃基板與其他物件的長寬高都不相同時,采用上述方法進行對位的精度不夠高。
因此,有必要提供一種對非接觸的兩工件進行精確對位的對位設備來解決現有技術的不足。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種對非接觸的兩工件進行精確對位的對位設備。
為實現上述目的,本實用新型的技術方案為:提供一種非接觸式對位設備,適用于對非接觸的兩工件進行對位,其包括對位裝置、固定平臺裝置、旋轉平臺裝置、對位調節裝置及底座,所述對位調節裝置連接于所述底座上,所述旋轉平臺裝置連接于所述對位調節裝置的上方,所述固定平臺裝置設置于所述旋轉平臺裝置的一側,并與所述旋轉平臺裝置相對應,所述對位裝置設置于所述固定平臺裝置的上方,且所述固定平臺裝置、旋轉平臺裝置上均開設有氣孔并與抽真空系統連接,其中,所述對位調節裝置包括X軸調節機構、Y軸調節機構及Z軸調節機構,所述旋轉平臺裝置滑動地連接于所述X軸調節機構的上端,并可沿X軸方向水平滑動,所述X軸調節機構的下端滑動地連接于所述Y軸調節機構的上端,并可沿Y軸方向水平滑動,所述Y軸調節機構的下端固定于所述Z軸調節機構上,且所述Z軸調節機構活動地連接于所述底座上,并可相對所述底座沿Z軸方向運動。
較佳地,所述旋轉平臺裝置包括旋轉固定座、旋轉調節機構、活動平臺及第一真空接頭,所述活動平臺上開設有氣孔,所述第一真空接頭安裝于所述活動平臺的側部,并與所述活動平臺上開設的氣孔相連通,所述活動平臺旋轉地連接于所述旋轉固定座上,所述旋轉固定座滑動地連接于所述X軸調節機構的上端,所述旋轉調節機構連接于所述旋轉固定座的側部,并與所述活動平臺連接,通過抽真空系統將工件吸附于活動平臺上,實現工件的固定,避免裝夾等給工件帶來的損傷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





