[實用新型]一種開關電源的欠壓保護電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220212850.4 | 申請日: | 2012-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN202616756U | 公開(公告)日: | 2012-12-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 徐申;楊淼;陸曉霞;孫鋒鋒;孫偉鋒;陸生禮;時龍興 | 申請(專利權(quán))人: | 東南大學 |
| 主分類號: | H02H7/10 | 分類號: | H02H7/10;H02H3/24 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人: | 湯志武 |
| 地址: | 210096*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 開關電源 保護 電路 | ||
1.一種開關電源的欠壓保護電路,其特征是,包括自啟動偏置電流源、采樣電路、比較器、放大器、整形電路及反饋電路,自啟動偏置電流源的輸出連接采樣電路的輸入端,采樣電路的輸出端連接比較器的輸入端,比較器的輸出端連接放大器的輸入端,放大器的輸出端連接整形電路的輸入端,整形電路的輸出中,一路經(jīng)反饋電路后連接采樣電路,另一路連接被保護的開關電源,其中,自啟動偏置電流源與采樣電路系一個電路模塊;
自啟動偏置電流源與采樣電路包括三個電阻R1、R2及R3、NMOS管M4及一個PNP三極管,電阻R1、R2及R3依次串聯(lián),電阻R1的另一端接電源VDD,電阻R3的另一端連接NMOS管M4的柵極和漏極,NMOS管M4的源極連接PNP三極管的發(fā)射極,PNP三極管的集電極和基極接地;
比較器包括兩個PMOS管M5及M6、三個NMOS管M7、M8及M9,NMOS管M7的柵極連接自啟動偏置電流源與采樣電路中電阻R2與R3的串接點,NMOS管M7的源極、NMOS管M8的源極以及NMOS管M9的漏極連接在一起,NMOS管M9的柵極連接自啟動偏置電流源與采樣電路中NMOS管M4的源極,NMOS管M9的源極接地,NMOS管M8的柵極連接自啟動偏置電流源與采樣電路中電阻R3與NMOS管M4柵極的串接點,NMOS管M7的漏極及NMOS管M8的的漏極分別連接NMOS管M5及NMOS管M6的漏極,NMOS管M5的柵極、NMOS管M6的柵極以及NMOS管M6的漏極連接在一起,NMOS管M5的源極及NMOS管M6源極均接電源VDD,NMOS管M6的源極與漏極之間連接電容C2;
放大器包括PMOS管M1和NMOS管M2,PMOS管M1的源極接電源VDD,PMOS管M1的柵極連接比較器中NMOS管M7的漏極,PMOS管M1的漏極連接NMOS管M2的漏極,NMOS管M2的柵極連接自啟動偏置電流源與采樣電路中NMOS管M4的源極,NMOS管M2的源極接地,NMOS管M2的源極與漏極之間連接電容C1;
整形電路包括三個依次串接的反相器INV1、反相器INV2及反相器INV3,反相器INV1輸入端連接放大器中PMOS管M1的漏極,反相器INV2與反相器INV3之間的串接點連接到被保護的開關電源;
反饋電路設有一個PMOS管M3,PMOS管M3的柵極連接整形電路中反相器INV3的輸出端,PMOS管M3的源極接電源VDD,PMOS管M3的漏極連接自啟動偏置電流源與采樣電路中電阻R1與R2的串接點。
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