[實(shí)用新型]多基島露出型單圈單芯片倒裝無源器件封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220204510.7 | 申請(qǐng)日： | 2012-05-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202564364U | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王新潮;李維平;梁志忠 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/495 | 分類號(hào)： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210 | 代理人： | 唐紉蘭 |
| 地址： | 214434 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多基島 露出 型單圈單 芯片 倒裝 無源 器件 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種多基島露出型單圈單芯片倒裝無源器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括基島（1）、引腳（2）和芯片（3），所述基島（1）有多個(gè)，所述芯片（3）倒裝于多個(gè)基島（1）和引腳（2）正面，所述芯片（3）底部與基島（1）和引腳（2）正面之間設(shè)置有底部填充膠（9），所述基島（1）外圍的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）之間的區(qū)域、引腳（2）與引腳（2）之間的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）上部的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）下部的區(qū)域以及芯片（3）外均包封有塑封料（4），所述基島（1）和引腳（2）下部的塑封料（4）表面上開設(shè)有小孔（5），所述小孔（5）與基島（1）或引腳（2）背面相連通，所述小孔（5）內(nèi)設(shè)置有金屬球（7），所述金屬球（7）與基島（1）或引腳（2）背面相接觸，所述引腳（2）與引腳（2）之間跨接無源器件（8），所述無源器件（8）跨接于引腳（2）正面與引腳（2）正面之間或跨接于引腳（2）背面與引腳（2）背面之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多基島露出型單圈單芯片倒裝無源器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬球（7）與基島（1）或引腳（2）背面之間設(shè)置有金屬保護(hù)層（6）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多基島露出型單圈單芯片倒裝無源器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基島（1）包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多基島露出型單圈單芯片倒裝無源器件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述引腳（2）包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。
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