[實(shí)用新型]單基島露出型多圈單芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220204484.8
• 申請(qǐng)日: 2012-05-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202564353U
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新潮;李維平;梁志忠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/495
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 江陰市同盛專(zhuān)利事務(wù)所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種單基島露出型多圈單芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝流程如下所示：

步驟一、參見(jiàn)圖3，取一玻璃纖維材料制成的基板，

步驟二、參見(jiàn)圖4，在玻璃纖維基板上所需的位置上開(kāi)孔，

步驟三、參見(jiàn)圖5，在玻璃纖維基板的背面披覆一層銅箔，

步驟四、參見(jiàn)圖6，在玻璃纖維基板打孔的位置填入導(dǎo)電物質(zhì)，

步驟五、參見(jiàn)圖7，在玻璃纖維基板的正面披覆一層銅箔，

步驟六、參見(jiàn)圖8，在玻璃纖維基板表面披覆光阻膜，

步驟七、參見(jiàn)圖9，將光阻膜在需要的位置進(jìn)行曝光顯影開(kāi)窗，

步驟八、參見(jiàn)圖10，將完成開(kāi)窗的部分進(jìn)行蝕刻，

步驟九、參見(jiàn)圖11，將基板表面的光阻膜剝除，

步驟十、參見(jiàn)圖12，在銅箔線路層的表面進(jìn)行防焊漆（俗稱綠漆）的披覆，

步驟十一、參見(jiàn)圖13，在防焊漆需要進(jìn)行后工序的裝片以及打線鍵合的區(qū)域進(jìn)行開(kāi)窗，

步驟十二、參見(jiàn)圖14，在步驟十一進(jìn)行開(kāi)窗的區(qū)域進(jìn)行電鍍，相對(duì)形成基島和引腳，

步驟十三、完成后續(xù)的裝片、打線、包封、切割等相關(guān)工序。

上述傳統(tǒng)高密度基板封裝結(jié)構(gòu)存在以下不足和缺陷：

1、多了一層的玻璃纖維材料，同樣的也多了一層玻璃纖維的成本；

2、因?yàn)楸仨氁玫讲ＡЮw維，所以就多了一層玻璃纖維厚度約100~150μm的厚度空間；

3、玻璃纖維本身就是一種發(fā)泡物質(zhì)，所以容易因?yàn)榉胖玫臅r(shí)間與環(huán)境吸入水分以及濕氣，直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性的等級(jí)；

4、玻璃纖維表面被覆了一層約50~100μm的銅箔金屬層厚度，而金屬層線路與線路的蝕刻距離也因?yàn)槲g刻因子的特性只能做到50~100μm的蝕刻間隙（參見(jiàn)圖15，最好的制作能力是蝕刻間隙約等同于被蝕刻物體的厚度），所以無(wú)法真正的做到高密度線路的設(shè)計(jì)與制造；

5、因?yàn)楸仨氁褂玫姐~箔金屬層，而銅箔金屬層是采用高壓粘貼的方式，所以銅箔的厚度很難低于50μm的厚度，否則就很難操作如不平整或是銅箔破損或是銅箔延展移位等等；

6、也因?yàn)檎麄€(gè)基板材料是采用玻璃纖維材料，所以明顯的增加了玻璃纖維層的厚度100~150μm，無(wú)法真正的做到超薄的封裝；

7、傳統(tǒng)玻璃纖維加貼銅箔的工藝技術(shù)因?yàn)椴馁|(zhì)特性差異很大（膨脹系數(shù)），在惡劣環(huán)境的工序中容易造成應(yīng)力變形，直接的影響到元件裝載的精度以及元件與基板粘著性與可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種單基島露出型多圈單芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其工藝簡(jiǎn)單，不需使用玻璃纖維層，減少了制造成本，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來(lái)的環(huán)境污染，而且金屬基板線路層采用的是電鍍方法，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計(jì)和制造。

本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種單基島露出型多圈單芯片倒裝封裝結(jié)構(gòu)，它包括基島、引腳和芯片，所述芯片倒裝于基島和引腳正面，所述芯片底部與基島和引腳正面之間設(shè)置有底部填充膠，所述基島外圍的區(qū)域、基島和引腳之間的區(qū)域、引腳與引腳之間的區(qū)域、基島和引腳上部的區(qū)域、基島和引腳下部的區(qū)域以及芯片外均包封有塑封料，所述基島和引腳下部的塑封料表面上開(kāi)設(shè)有小孔，所述小孔與基島或引腳背面相連通，所述小孔內(nèi)設(shè)置有金屬球，所述金屬球與基島或引腳背面相接觸，所述引腳有多圈。

所述金屬球與基島或引腳背面之間設(shè)置有金屬保護(hù)層。

所述基島包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。

所述引腳包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果：

1、本實(shí)用新型不需要使用玻璃纖維層，所以可以減少玻璃纖維層所帶來(lái)的成本；

2、本實(shí)用新型沒(méi)有使用玻璃纖維層的發(fā)泡物質(zhì)，所以可靠性的等級(jí)可以再提高，相對(duì)對(duì)封裝體的安全性就會(huì)提高；

3、本實(shí)用新型不需要使用玻璃纖維層物質(zhì)，所以就可以減少玻璃纖維材料所帶來(lái)的環(huán)境污染；

4、本實(shí)用新型的二維金屬基板線路層所采用的是電鍍方法，而電鍍層的總厚度約在10~15μm，而線路與線路之間的間隙可以輕松的達(dá)到25μm以下的間隙，所以可以真正地做到高密度內(nèi)引腳線路平鋪的技術(shù)能力；