[實(shí)用新型]多基島露出多圈多芯片正裝無(wú)源器件靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220204473.X
• 申請(qǐng)日: 2012-05-09
• 公開（公告）號(hào): CN202564348U
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新潮;李維平;梁志忠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種多基島露出多圈多芯片正裝無(wú)源器件靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括基島（1）和引腳（2），所述基島（1）有多個(gè)，所述基島（1）與引腳（2）之間設(shè)置有靜電釋放圈（10），所述多個(gè)基島（1）正面通過(guò)導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)（3）設(shè)置有多個(gè)芯片（4），所述芯片（4）正面與引腳（2）正面之間以及芯片（4）正面與靜電釋放圈（10）正面之間用金屬線（5）相連接，所述基島（1）外圍的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）之間的區(qū)域、引腳（2）與引腳（2）之間的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）上部的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）下部的區(qū)域以及芯片（4）和金屬線（5）外均包封有塑封料（6），所述基島（1）和引腳（2）下部的塑封料（6）表面上開設(shè)有小孔（7），所述小孔（7）與基島（1）或引腳（2）背面相連通，所述小孔（7）內(nèi)設(shè)置有金屬球（9），所述金屬球（9）與基島（1）或引腳（2）背面相接觸，所述引腳（2）與引腳（2）之間跨接無(wú)源器件（11），所述無(wú)源器件（11）跨接于引腳（2）正面與引腳（2）正面之間或跨接于引腳（2）背面與引腳（2）背面之間，所述引腳（2）有多圈。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多基島露出多圈多芯片正裝無(wú)源器件靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬球（9）與基島（1）或引腳（2）背面之間設(shè)置有金屬保護(hù)層（8）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多基島露出多圈多芯片正裝無(wú)源器件靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述芯片（4）正面與芯片（4）正面之間用金屬線（5）相連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多基島露出多圈多芯片正裝無(wú)源器件靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基島（1）包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多基島露出多圈多芯片正裝無(wú)源器件靜電釋放圈封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述引腳（2）包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層、鈦層或銅層。