[實(shí)用新型]單基島埋入型單圈多芯片正裝倒裝無源器件封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220204403.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202564315U | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王新潮;李維平;梁志忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/495 | 分類號(hào): | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單基島 埋入 型單圈多 芯片 倒裝 無源 器件 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種單基島埋入型單圈多芯片正裝倒裝無源器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于它包括基島(1)、引腳(2)、第一芯片(4)和第二芯片(6),所述第一芯片(4)通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(3)設(shè)置于基島(1)正面和引腳(2)正面,所述第二芯片(6)倒裝于第一芯片(4)上,所述第二芯片(6)底部與第一芯片(4)正面之間設(shè)置有底部填充膠(5),所述第一芯片(4)正面與引腳(2)正面之間用金屬線(7)相連接,所述基島(1)外圍的區(qū)域、基島(1)和引腳(2)之間的區(qū)域、引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域、基島(1)和引腳(2)上部的區(qū)域、基島(1)和引腳(2)下部的區(qū)域以及第一芯片(4)、第二芯片(6)和金屬線(7)外均包封有塑封料(8),所述引腳(2)背面的塑封料(8)上開設(shè)有小孔(9),所述小孔(9)與引腳(2)背面相連通,所述小孔(9)內(nèi)設(shè)置有金屬球(11),所述金屬球(11)與引腳(2)背面相接觸,所述引腳(2)與引腳(2)之間跨接有無源器件(12),所述無源器件(12)跨接于引腳(2)正面與引腳(2)正面之間或跨接于引腳(2)背面與引腳(2)背面之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單基島埋入型單圈多芯片正裝倒裝無源器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于在所述引腳(2)背面與金屬球(11)之間還設(shè)置有金屬保護(hù)層(10)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種單基島埋入型單圈多芯片正裝倒裝無源器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述基島(1)包括基島上部、基島下部和中間阻擋層,所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成,所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種單基島埋入型單圈多芯片正裝倒裝無源器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述引腳(2)包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層,所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成,所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。
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