[實用新型]單基島埋入型單圈多芯片正裝倒裝封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220204389.8 | 申請日： | 2012-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN202564228U | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王新潮;李維平;梁志忠 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210 | 代理人： | 唐紉蘭 |
| 地址： | 214434 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單基島 埋入 型單圈多 芯片 倒裝 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種單基島埋入型單圈多芯片正裝倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括基島（1）、引腳（2）、第一芯片（4）和第二芯片（6），所述第一芯片（4）通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)（3）設(shè)置于基島（1）正面和引腳（2）正面，所述第二芯片（6）倒裝于第一芯片（4）上，所述第二芯片（4）底部與第一芯片（4）正面之間設(shè)置有底部填充膠（5），所述第一芯片（4）正面與引腳（2）正面之間用金屬線（7）相連接，所述基島（1）外圍的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）之間的區(qū)域、引腳（2）與引腳（2）之間的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）上部的區(qū)域、基島（1）和引腳（2）下部的區(qū)域以及第一芯片（4）、第二芯片（6）和金屬線（7）外均包封有塑封料（8），所述引腳（2）背面的塑封料（8）上開設(shè)有小孔（9），所述小孔（9）與引腳（2）背面相連通，所述小孔（9）內(nèi)設(shè)置有金屬球（11），所述金屬球（11）與引腳（2）背面相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單基島埋入型單圈多芯片正裝倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述引腳（2）背面與金屬球（11）之間還設(shè)置有金屬保護層（10）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種單基島埋入型單圈多芯片正裝倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基島（1）包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種單基島埋入型單圈多芯片正裝倒裝封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述引腳（2）包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。
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