[實用新型]單基島埋入型多圈單芯片正裝無源器件靜電釋放圈封裝結構

有效

• 申請號: 201220204368.6
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN202564220U
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 王新潮;李維平;梁志忠
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L23/60
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種單基島埋入型多圈單芯片正裝無源器件靜電釋放圈封裝結構，其特征在于它包括基島（1）和引腳（2），所述基島（1）正面通過導電或不導電粘結物質（3）設置有芯片（4），所述芯片（4）正面與引腳（2）正面之間用金屬線（5）相連接，所述基島（1）外圍的區域、基島（1）和引腳（2）之間的區域、引腳（2）與引腳（2）之間的區域、基島（1）和引腳（2）上部的區域、基島（1）和引腳（2）下部的區域以及芯片（4）和金屬線（5）外均包封有塑封料（6），所述引腳（2）背面的塑封料（6）上開設有小孔（7），所述小孔（7）與引腳（2）背面相連通，所述小孔（7）內設置有金屬球（9），所述金屬球（9）與引腳（2）背面相接觸，所述引腳（2）與引腳（2）之間跨接有無源器件（10），所述無源器件（10）跨接于引腳（2）正面與引腳（2）正面之間或跨接于引腳（2）背面與引腳（2）背面之間，所述基島（1）與引腳（2）之間設置有靜電釋放圈（11），所述靜電釋放圈（11）正面與芯片（4）正面之間通過金屬線（5）相連接，所述引腳（2）有多圈。

2.根據權利要求1所述的一種單基島埋入型多圈單芯片正裝無源器件靜電釋放圈封裝結構，其特征在于在所述引腳（2）背面與金屬球（9）之間還設置有金屬保護層（8）。

3.根據權利要求1或2所述的一種單基島埋入型多圈單芯片正裝無源器件靜電釋放圈封裝結構，其特征在于所述基島（1）包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。

4.根據權利要求1或2所述的一種單基島埋入型多圈單芯片正裝無源器件靜電釋放圈封裝結構，其特征在于所述引腳（2）包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。