[實用新型]多基島埋入型單圈多芯片正裝封裝結構

有效

• 申請號: 201220204344.0
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN202564215U
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 王新潮;李維平;梁志忠
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

1.一種多基島埋入型單圈多芯片正裝封裝結構，其特征在于它包括基島（1）和引腳（2），所述基島（1）有多個，所述多個基島（1）正面通過導電或不導電粘結物質（3）設置有多個芯片（4），所述芯片（4）正面與引腳（2）正面之間用金屬線（5）相連接，所述基島（1）外圍的區域、基島（1）和引腳（2）之間的區域、引腳（2）與引腳（2）之間的區域、基島（1）和引腳（2）上部的區域、基島（1）和引腳（2）下部的區域以及芯片（4）和金屬線（5）外均包封有塑封料（6），所述引腳（2）背面的塑封料（6）上開設有小孔（7），所述小孔（7）與引腳（2）背面相連通，所述小孔（7）內設置有金屬球（9），所述金屬球（9）與引腳（2）背面相接觸。

2.根據權利要求1所述的一種多基島埋入型單圈多芯片正裝封裝結構，其特征在于：在所述金屬球（9）與引腳（2）背面之間設置有金屬保護層（8）。

3.根據權利要求1所述的一種多基島埋入型單圈多芯片正裝封裝結構，其特征在于：所述芯片（3）正面與芯片（3）正面之間通過金屬線（5）相連。

4.根據權利要求1或2或3所述的一種多基島埋入型單圈多芯片正裝封裝結構，其特征在于：所述基島（1）包括基島上部、基島下部和中間阻擋層，所述基島上部和基島下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。

5.根據權利要求1或2或3所述的一種多基島埋入型單圈多芯片正裝封裝結構，其特征在于：所述引腳（2）包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層，所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成，所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。