[實(shí)用新型]芯片直放型多圈多芯片正裝無源器件封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220204320.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202564292U | 公開(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王新潮;李維平;梁志忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/495 | 分類號(hào): | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 直放型多圈多 無源 器件 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種芯片直放型多圈多芯片正裝無源器件封裝結(jié)構(gòu)。屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的制造工藝流程如下所示:
步驟一、參見圖3,取一玻璃纖維材料制成的基板,
步驟二、參見圖4,在玻璃纖維基板上所需的位置上開孔,
步驟三、參見圖5,在玻璃纖維基板的背面披覆一層銅箔,
步驟四、參見圖6,在玻璃纖維基板打孔的位置填入導(dǎo)電物質(zhì),
步驟五、參見圖7,在玻璃纖維基板的正面披覆一層銅箔,
步驟六、參見圖8,在玻璃纖維基板表面披覆光阻膜,
步驟七、參見圖9,將光阻膜在需要的位置進(jìn)行曝光顯影開窗,
步驟八、參見圖10,將完成開窗的部分進(jìn)行蝕刻,
步驟九、參見圖11,將基板表面的光阻膜剝除,
步驟十、參見圖12,在銅箔線路層的表面進(jìn)行防焊漆(俗稱綠漆)的披覆,
步驟十一、參見圖13,在防焊漆需要進(jìn)行后工序的裝片以及打線鍵合的區(qū)域進(jìn)行開窗,
步驟十二、參見圖14,在步驟十一進(jìn)行開窗的區(qū)域進(jìn)行電鍍,相對(duì)形成基島和引腳,
步驟十三、完成后續(xù)的裝片、打線、包封、切割等相關(guān)工序。
上述傳統(tǒng)高密度基板封裝結(jié)構(gòu)存在以下不足和缺陷:
1、多了一層的玻璃纖維材料,同樣的也多了一層玻璃纖維的成本;
2、因?yàn)楸仨氁玫讲AЮw維,所以就多了一層玻璃纖維厚度約100~150μm的厚度空間;
3、玻璃纖維本身就是一種發(fā)泡物質(zhì),所以容易因?yàn)榉胖玫臅r(shí)間與環(huán)境吸入水分以及濕氣,直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性等級(jí);
4、玻璃纖維表面被覆了一層約50~100μm的銅箔金屬層厚度,而金屬層線路與線路的蝕刻距離也因?yàn)槲g刻因子的特性只能做到50~100μm的蝕刻間隙(蝕刻因子:?最好制做的能力是蝕刻間隙約等同于被蝕刻物體的厚度,參見圖15),所以無法真正的做到高密度線路的設(shè)計(jì)與制造;
5、因?yàn)楸仨氁褂玫姐~箔金屬層,而銅箔金屬層是采用高壓粘貼的方式,所以銅箔的厚度很難低于50μm的厚度,否則就很難操作如不平整或是銅箔破損或是銅箔延展移位等等;
6、也因?yàn)檎麄€(gè)基板材料是采用玻璃纖維材料,所以明顯的增加了玻璃纖維層的厚度100~150μm,無法真正的做到超薄的封裝;
7、傳統(tǒng)玻璃纖維加貼銅箔的工藝技術(shù)因?yàn)椴馁|(zhì)特性差異很大(膨脹系數(shù)),在惡劣環(huán)境的工序中容易造成應(yīng)力變形,直接的影響到元件裝載的精度以及元件與基板粘著性與可靠性。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足,提供一種芯片直放型多圈多芯片正裝無源器件封裝結(jié)構(gòu),其工藝簡(jiǎn)單,不需使用玻璃纖維層,減少了制作成本,提高了封裝體的安全性和可靠性,減少了玻璃纖維材料帶來的環(huán)境污染,而且金屬基板線路層采用的是電鍍方法,能夠真正做到高密度線路的設(shè)計(jì)和制造。
本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種芯片直放型多圈多芯片正裝無源器件封裝結(jié)構(gòu),它包括引腳,所述引腳正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)設(shè)置有多個(gè)芯片,所述多個(gè)芯片正面與引腳正面之間用金屬線相連接,所述引腳與引腳之間的區(qū)域、引腳上部的區(qū)域、引腳下部的區(qū)域以及芯片和金屬線外均包封有塑封料,所述引腳背面的塑封料上開設(shè)有小孔,所述小孔與引腳背面相連通,所述小孔內(nèi)設(shè)置有金屬球,所述金屬球與引腳背面相接觸,所述引腳與引腳之間跨接有無源器件,所述無源器件跨接于引腳正面與引腳正面之間或跨接于引腳背面與引腳背面之間,所述引腳有多圈。
在所述引腳背面與金屬球之間還設(shè)置有金屬保護(hù)層。
所述芯片正面與芯片正面之間通過金屬線相連接。
所述引腳包括引腳上部、引腳下部和中間阻擋層,所述引腳上部和引腳下部均由單層或多層金屬電鍍而成,所述中間阻擋層為鎳層或鈦層或銅層。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型具有以下有益效果:
1、本實(shí)用新型不需要使用玻璃纖維層,所以可以減少玻璃纖維層所帶來的成本;
2、本實(shí)用新型沒有使用玻璃纖維層的發(fā)泡物質(zhì),所以可靠性的等級(jí)可以再提高,相對(duì)對(duì)封裝體的安全性就會(huì)提高;
3、本實(shí)用新型不需要使用玻璃纖維層物質(zhì),所以就可以減少玻璃纖維材料所帶來的環(huán)境污染;
4、本實(shí)用新型的二維金屬基板線路層所采用的是電鍍方法,而電鍍層的總厚度約在10~15μm,而線路與線路之間的間隙可以輕松的達(dá)到25μm以下的間隙,所以可以真正地做到高密度內(nèi)引腳線路平鋪的技術(shù)能力;
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