[實用新型]一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置

有效

• 申請號: 201220202997.5
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN202558646U
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 李長生;王文;劉微玲;馬蕊蕊;周琴;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 特變電工新疆硅業有限公司
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249
• 代理人: 劉洪京

技術領域

本實用新型涉及絕緣密封裝置，具體地，涉及一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置。

背景技術

目前，在多晶硅生產中，每生產1噸“多晶硅”約生成20噸的副產物四氯化硅。因此，對四氯化硅進行有效的回收利用，是降低環境污染，降低生產成本的關鍵。熱氫化處理工藝是將四氯化硅通入氫化爐中，與氫氣在一定的溫度、配比下反應轉化成三氯氫硅的方法。處理后不僅有效地減少了四氯化硅量，且生成了雜質很少、純度較高的精制三氯氫硅，簡單提純后就可作為生產多晶硅的原料，且整個處理過程中污染較小，對環境危害小，因此，熱氫化工藝在行業里得到了較為廣泛的應用。但是，氫化爐內高達1250-1400℃的反應溫度，以及氫化爐長周期的運行，對于底盤與電極之間的密封和絕緣材料是個嚴峻的考驗。通常，良好的密封材料如聚四氟乙烯、橡膠等，都不具備耐高溫的性能，而良好的絕緣材料通常硬度較低，因此，選擇合適的絕緣、密封材料進行組合搭配，才能實現氫化爐長周期穩定運行的生產要求。

綜上所述，現有技術中至少存在以下缺陷：不耐高溫、絕緣等級低且易損壞。

實用新型內容

本實用新型的目的在于，針對上述問題，提出一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置，以實現，耐高溫、延長使用周期、避免電極和底盤間造成短路停爐事故的優點。

為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案是一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置，用于隔絕電極與氫化爐底盤，其特征在于，包括：大瓷環、小瓷環、絕緣套、絕緣瓷、絕緣墊、環形絕緣瓷及O形圈，所述電極為“T”形圓柱，所述絕緣套為“T”形套，絕緣套套在電極下圓柱外部，絕緣套臺階頂部與電極臺階底部貼合，所述環形絕緣瓷套于絕緣套外部，絕緣瓷頂部與絕緣套臺階底部貼合，所述絕緣墊套于絕緣套外部，并位于絕緣瓷與氫化爐底盤之間，所述絕緣墊上表面與絕緣瓷下表面貼合，絕緣墊下表面與氫化爐底盤上表面貼合，所述環形絕緣瓷和所述O形圈均為兩個，所述環形絕緣瓷和所述O形圈間隔套于電極柱體外部的下半部，按O形圈、環形絕緣瓷的順序排列于絕緣套下方，所述小瓷環及大瓷環依次套于電極臺階外部，小瓷環及大瓷環下表面與氫化爐底盤相貼合。

進一步地，所述絕緣套為聚四氟乙烯材質，所述絕緣套上表面有兩條密封水線。

進一步地，所述絕緣墊為聚四氟乙烯墊，所述絕緣墊的下表面有兩條密封水線。

進一步地，所述絕緣瓷為環形，所述絕緣瓷上下表面的外緣處有凸臺。

進一步地，所述絕緣套與所述絕緣墊的外徑均小于所述絕緣瓷上下表面的“凸臺”內徑，所述絕緣套及所述絕緣墊分別嵌于絕緣瓷上下表面凸臺形成的圈內。

進一步地，所述小瓷環的內圈與電極凸起之間的距離為1mm-3mm，所述小瓷環的厚度為8mm-10mm，所述小瓷環的高度不高于電極的上端面，所述大瓷環的內圈與小瓷環的外圈之間的距離為0.5mm-1.5mm，所述大瓷環的高度高于小瓷環15mm-20mm，所述O形圈的截面直徑為5mm，所述O形圈內圈與電極柱體之間的距離為0-0.5mm,?所述絕緣套及所述絕緣墊厚度為3mm。

本實用新型一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置，由于包括大瓷環、小瓷環、絕緣套、絕緣瓷、絕緣墊、環形絕緣瓷及O形圈，可以產生良好的絕緣密封性能且可以耐高溫；從而可以克服現有技術中不耐高溫、絕緣等級低且易損壞的缺陷，以實現耐高溫、延長使用周期、避免電極和底盤間造成短路停爐事故的優點。

本實用新型的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本實用新型而了解。本實用新型的目的和其他優點可通過在所寫的說明書、權利要求書、以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。

下面通過附圖和實施例，對本實用新型的技術方案做進一步的詳細描述。

附圖說明

圖1為根據本實用新型一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置剖視圖。

結合附圖，本實用新型實施例中附圖標記如下：

1-電極；2-氫化爐底盤；3-大瓷環；4-小瓷環；5-絕緣套；6-絕緣瓷；7-絕緣墊；8-環形絕緣瓷；9-O形圈。

具體實施方式

根據本實用新型實施例，提供了一種氫化爐用組合式絕緣密封裝置。如圖1所示，本實施例包括：