[實(shí)用新型]一種高壓數(shù)字隔離器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220202294.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202565250U | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-11-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉桂方;董晨;郭冬發(fā) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 核工業(yè)北京地質(zhì)研究院 |
| 主分類號(hào): | H03K19/14 | 分類號(hào): | H03K19/14 |
| 代理公司: | 核工業(yè)專利中心 11007 | 代理人: | 高尚梅;高爽 |
| 地址: | 100029 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高壓 數(shù)字 隔離 器件 | ||
1.一種高壓數(shù)字隔離器件,其特征在于:包括初級(jí)單元、若干個(gè)次級(jí)單元,以及包覆所述初級(jí)單元和所述若干個(gè)次級(jí)單元的屏蔽層,所述初級(jí)單元和每個(gè)次級(jí)單元均包括供電及數(shù)據(jù)接口、協(xié)議處理器、以及射頻收發(fā)器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓數(shù)字隔離器件,其特征在于:所述屏蔽層由導(dǎo)電材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高壓數(shù)字隔離器件,其特征在于:所述屏蔽層由不銹鋼制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高壓數(shù)字隔離器件,其特征在于:所述次級(jí)單元個(gè)數(shù)為一個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種高壓數(shù)字隔離器件,其特征在于:所述初級(jí)單元、和次級(jí)單元均為AX5051電路板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種高壓數(shù)字隔離器件,其特征在于:所述協(xié)議處理器采用單片機(jī),射頻收發(fā)器采用小功率無(wú)線收發(fā)芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種高壓數(shù)字隔離器件,其特征在于:所述協(xié)議處理器與射頻收發(fā)器聯(lián)系在一起,發(fā)送或接收帶編碼信息的電磁波,并反映到數(shù)據(jù)接口上。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于核工業(yè)北京地質(zhì)研究院,未經(jīng)核工業(yè)北京地質(zhì)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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