[實(shí)用新型]一種過載保護(hù)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220201801.0
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN202586291U
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江華鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 上海耀華稱重系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H02H7/10
• 分類號: H02H7/10
• 代理公司: 上海世貿(mào)專利代理有限責(zé)任公司 31128
• 代理人: 陳穎潔

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體地說是一種過載保護(hù)電路。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)升壓電路啟動(dòng)瞬間容易導(dǎo)致過載，過載時(shí)間過長容易燒毀電子芯片，傳統(tǒng)的電壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)比較繁瑣，使用器件價(jià)格比較高。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型目的在于提供一種過載保護(hù)電路，保護(hù)器件不受損壞。

為了實(shí)現(xiàn)這一目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：一種過載保護(hù)電路，包括第一三極管，該第一三極管的發(fā)射極接電源，集電極接負(fù)載，基極通過第一電阻接地，其特征在于該第一三極管的基極還與第二三極管的集電極連接，該第二三極管的發(fā)射極接電源，第二三極管的基極通過第二電阻與第一三極管的集電極連接，該第二三極管的基極與場效應(yīng)管的源極連接，該場效應(yīng)管的漏極接電源，該場效應(yīng)管的柵極通過電容與控制電路的輸出端連接，控制電路的輸入端與第三電阻的一端連接，第三電阻的另一端與第五電阻的一端連接，第五電阻的另一端接地，第三電阻的另一端還與第四電阻的一端連接，第四電阻的另一端與第一三極管的集電極連接。

當(dāng)?shù)谝蝗龢O管過載時(shí)，第一三極管的集電極變低，第二三極管導(dǎo)通，則第一三極管截止，這時(shí)第一三極管的集電極為低電平，控制電路輸入端信號也為低電平。而如果第一三極管正常工作，第一三極管的集電極為高電平，則控制電路輸入端信號也為高電平。當(dāng)需要重新開啟第一三極管，控制電路輸出端輸出一高電平，則場效應(yīng)管導(dǎo)通，第二三極管截止，第一三極管恢復(fù)工作。因此采用該過載保護(hù)電路，在過載發(fā)生時(shí)第一三極管自動(dòng)截止，保護(hù)器件不受損壞，當(dāng)恢復(fù)正常后，再可發(fā)送信號使得第一三極管恢復(fù)正常工作。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于電路結(jié)構(gòu)簡單，功能可靠，且電路成本較低。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的電路圖。

具體實(shí)施方式

一種過載保護(hù)電路，包括第一三極管Q1，該第一三極管Q1的發(fā)射極接電源，集電極接負(fù)載，基極通過第一電阻R21接地，其特征在于該第一三極管Q1的基極還與第二三極管Q2的集電極連接，該第二三極管Q2的發(fā)射極接電源，第二三極管Q2的基極通過第二電阻R22與第一三極管Q1的集電極連接，該第二三極管Q2的基極與場效應(yīng)管Q3的源極連接，該場效應(yīng)管Q3的漏極接電源，該場效應(yīng)管Q3的柵極通過電容與控制電路（圖中未示出）的輸出端連接，控制電路的輸入端與第三電阻R29的一端連接，第三電阻R29的另一端與第五電阻R20的一端連接，第五電阻R20的另一端接地，第三電阻R29的另一端還與第四電阻R19的一端連接，第四電阻R19的另一端與第一三極管Q1的集電極連接。

根據(jù)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，其中第一三極管Q1采用B772，第二三極管Q2采用9012，場效應(yīng)管Q3采用Si2302。其中控制電路為單片機(jī)。負(fù)載包括電流模式升壓轉(zhuǎn)換器U1（MP1542），該電流模式升壓轉(zhuǎn)換器U1的輸入端IN與第一三極管的集電極連接，該電流模式升壓轉(zhuǎn)換器U1的輸出端SW與輸入端IN之間設(shè)有電感L1，且該電流模式升壓轉(zhuǎn)換器U1的輸出端SW與第一二極管的正極連接，第一二極管的負(fù)極接電源輸出端，該電流模式升壓轉(zhuǎn)換器U1的軟啟動(dòng)控制端SS與第二二極管D2的正極連接，該第二二極管D2的負(fù)極與第一三極管Q1的集電極連接，該電流模式升壓轉(zhuǎn)換器U1的軟啟動(dòng)控制端SS還通過大容量電容??C10??接地，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，該大容量電容的容量為??1uF。采用該大容量電容可延緩氣動(dòng)過程，放置瞬間沖擊對第一三極管Q1的影響，從而起到保護(hù)芯片U1的目的，進(jìn)一步提高采用精度。